特許
J-GLOBAL ID：200903085334076351
基板処理方法および基板処理装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
稲岡 耕作
, 川崎 実夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-053701
公開番号（公開出願番号）：特開2007-234812
出願日： 2006年02月28日
公開日（公表日）： 2007年09月13日
要約：
【課題】基板の表面に形成されているレジストをむらなく除去することができる基板処理方法および基板処理装置を提供すること。【解決手段】基板の表面にSPMが供給された後(S1,S2:SPM吐出)、その基板の表面上にSPMが液膜を形成して滞留した状態が維持される(S3:SPMパドル)。そして、基板の表面上に滞留しているSPMが一旦振り切られた後、基板の表面にSPMが再び供給される。SPMの液中には、硫酸と過酸化水素水との反応生成熱により発生する水蒸気の気泡が多量に存在し、基板の表面上にSPMが液膜を形成して滞留している間、SPMの液中の気泡が基板の表面の同じ部分に接触し続けるため、その部分からレジストが除去されずに残るが、基板の表面上からSPMが一旦振り切られた後、その基板の表面にSPMが再び供給されることによって、その残ったレジストを除去することができる。【選択図】図3
請求項（抜粋）：
基板の表面に対して、硫酸と過酸化水素水とを混合して作成される処理液によるレジスト除去処理を施すための方法であって、
基板の表面上に処理液を供給する第1供給工程と、
前記第1供給工程に引き続いて、基板の表面上に処理液が液膜を形成して滞留した状態を維持する第1パドル工程と、
前記第1パドル工程の後に、基板の回転により、基板から処理液を振り切る第1振り切り工程と、
前記第1振り切り工程の後に、基板の表面上に処理液を供給する第2供給工程とを含むことを特徴とする、基板処理方法。
IPC (2件)：
H01L 21/027
, H01L 21/304
H01L21/30 572B
, H01L21/304 643A
, H01L21/304 647Z
, H01L21/304 648G
5F046MA02
, 5F046MA03
, 5F046MA10
