窒化物半導体素子及びその作製方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：大澤斌 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-090893
公開番号（公開出願番号）：特開2002-289539
出願日： 2001年03月27日
公開日（公表日）： 2002年10月04日
要約：

【要約】【課題】信頼性が高く、かつ素子設計及び製作の自由度が大きい構成を備えた窒化物半導体素子を提供することである。【解決手段】本窒化物半導体素子の要部は、サファイア基板10上に形成され、絶縁層12を一方の側面に有する凸部状種結晶層11と、基板上及び種結晶層上に横方向成長法により成長させたGaN層15とから構成されている。横方向成長法によるGaN層が種結晶層の絶縁層で覆われていない露出した側面からのみ成長するために、GaN層の横方向成長が非対称性になるので、会合部32は、種結晶層と絶縁層の境界付近からGaN層の厚さ方向に形成される。会合部は、種結晶層同士の中央に存在する従来の構造例に対し、本例では、種結晶層と絶縁層の境界付近に存在する。これにより、低欠陥密度領域のWL は、種結晶層のピッチをWP 及び種結晶層の幅をWO とすると、WP ≒WO +WL で、かつWL>WO 、よって、WL >0.5×WP の関係で示されるから、従来の構造例に比べて、遙に大きな値のWL を得ることができる。

請求項（抜粋）：

下地層のストライプ状凸部の周期的パターンに従って、高欠陥密度領域と、基板面に平行な領域幅が高欠陥密度領域より広い低欠陥密度領域とが、交互に周期的に形成されているIII 族窒化物系化合物半導体層を基板上に備える窒化物半導体素子において、下地層の凸部が、基板に直交する凸部中心線に関して非対称に構成され、かつ高欠陥密度領域が下地層の凸部間の中心線に関して基板面に平行な方向に偏心した位置でIII 族窒化物系化合物半導体層の厚さ方向に形成されていることを特徴とする窒化物半導体素子。

IPC (7件)：

H01L 21/205 , H01L 21/20 , H01L 31/10 , H01L 33/00 , H01S 5/026 , H01S 5/22 610 , H01S 5/343 610

FI (7件)：

H01L 21/205 , H01L 21/20 , H01L 33/00 C , H01S 5/026 , H01S 5/22 610 , H01S 5/343 610 , H01L 31/10 A

Fターム (41件)：

5F041AA36 , 5F041AA41 , 5F041AA43 , 5F041AA47 , 5F041CA14 , 5F041CA22 , 5F041CA40 , 5F041CA65 , 5F041CA77 , 5F041CB05 , 5F041FF01 , 5F045AA04 , 5F045AA05 , 5F045AF09 , 5F045AF12 , 5F045AF14 , 5F045BB12 , 5F045CA02 , 5F045CA10 , 5F045CA12 , 5F045DA53 , 5F045DB02 , 5F049MA01 , 5F049MB07 , 5F049NA20 , 5F049PA04 , 5F049PA14 , 5F049PA20 , 5F049QA02 , 5F049RA07 , 5F049RA08 , 5F052KA05 , 5F073AA11 , 5F073BA06 , 5F073BA09 , 5F073CA02 , 5F073CB05 , 5F073DA05 , 5F073DA07 , 5F073DA25 , 5F073EA29

引用特許：

審査官引用 (1件)

LED及びレーザダイオードの成長のため大面積で低欠陥密度の膜を分離する方法及び半導体デバイスの製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-008539 出願人：ゼロックスコーポレーション

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