特許
J-GLOBAL ID：200903018155510392
LED及びレーザダイオードの成長のため大面積で低欠陥密度の膜を分離する方法及び半導体デバイスの製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
吉田 研二 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-008539
公開番号（公開出願番号）：特開2001-257193
出願日： 2001年01月17日
公開日（公表日）： 2001年09月21日
要約：
【要約】【課題】 ベース基板に低欠陥密度膜を形成した後低欠陥密度膜をベース基板から分離させること。【解決手段】 膜成長の間に形成される境界欠陥の位置を制御するためのリリース層をベース基板に生成且つパターニングし(ステップ1020)、リリース層上に低欠陥密度膜を成長させる(ステップ1060)。その後、リリース層をエッチングすることで低欠陥密度膜をベース基板から分離して(ステップ1100)、低欠陥密度膜上にデバイスを成長させる(ステップ1080)。こうすることで、ベース基板に好適に低欠陥密度膜を形成した後、低欠陥密度膜をベース基板から分離させ低欠陥密度膜上にデバイスを形成することができる。
請求項（抜粋）：
ベース基板から膜を分離する膜分離方法であって、前記ベース基板の上にリリース層材料を堆積してリリース層を形成するステップと、前記リリース層の上に膜を成長するステップと、前記リリース層をエッチャントでエッチングして、前記膜を前記ベース基板から分離するステップと、を含む膜分離方法。
IPC (4件)：
H01L 21/306
, H01L 21/205
, H01L 33/00
, H01S 5/02
H01L 21/205
, H01L 33/00 C
, H01S 5/02
, H01L 21/306 A
