特許
J-GLOBAL ID：200903085370087998
基板の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
武 顕次郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-213515
公開番号（公開出願番号）：特開平11-052550
出願日： 1997年08月07日
公開日（公表日）： 1999年02月26日
要約：
【要約】【課題】 位相シフトレチクル上に発生した不定形状の欠陥を高精度に修正し、高品質な位相シフトレチクルを提供すること。【解決手段】 位相欠陥の光干渉による欠陥位相差量の計測装置と、欠陥材質の分析装置と、荷電粒子ビームによる修正装置とからなり、荷電粒子ビームによる修正量(加工量)を、欠陥の立体形状分布(または屈折率分布)と材質の分析結果から制御する。
請求項（抜粋）：
回路パターンが形成された基板の製造方法において、回路パターンが形成された基板を検査して、欠陥の座標位置を検出し、次に、上記欠陥の立体形状分布または屈折率分布を計測して、この計測結果を欠陥修正装置に送り、次に、欠陥修正装置において上記基板を位置決めして修正位置を定めると共に、上記欠陥の修正量を決定するパラメータを、上記欠陥の立体形状分布または屈折率分布によって変化させながら、上記欠陥の修正を行うことを特徴とする基板の製造方法。
IPC (4件)：
G03F 1/08
, G01N 21/88
, H01L 21/027
, H05K 3/00
G03F 1/08 T
, G03F 1/08 A
, G01N 21/88 F
, H05K 3/00 E
, H01L 21/30 502 P
