特許
J-GLOBAL ID：200903085387609661
カーボンナノチューブおよびその製造方法、電子源およびその製造方法、並びに、表示装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
原 謙三 (外3名)
公報種別：再公表公報
出願番号（国際出願番号）：JP2001001326
公開番号（公開出願番号）：WO2001-062665
出願日： 2001年02月22日
公開日（公表日）： 2001年08月30日
要約：
【要約】カーボンナノチューブは、チューブ軸方向に複数の結晶領域に分割された多結晶構造の炭素網膜を有し、好ましくは、各結晶領域のチューブ軸方向の長さが3〜6nmの範囲内である。また、電子源は、カーボンナノチューブが細孔内に基板側の端が閉じた筒形で形成され、基板側の端面で基板表面と接着しており、基板に対して強固に接着している。カーボンナノチューブは、炭素の堆積を細孔内に金属触媒が存在しない状態で行う方法で製造される。また、カーボンナノチューブは、炭素堆積膜の形成後に、上記炭素堆積膜に対してプラズマを用いたエッチングを行うことにより上記炭素堆積膜の先端を改質する方法で製造される。これらにより、デバイス面内、電子放出領域(画素)内の電子放出特性の均一性が優れ、低電圧駆動可能な電子源を提供すると共に、超低消費電力、超高輝度な表示装置を提供することができる。
請求項（抜粋）：
少なくとも1層の筒形の炭素網膜からなるカーボンナノチューブであって、 上記炭素網膜が、チューブ軸方向に複数の結晶領域に分割された多結晶構造を有することを特徴とするカーボンナノチューブ。
IPC (7件)：
C01B 31/02 101
, B82B 1/00
, B82B 3/00
, H01J 1/304
, H01J 9/02
, H01J 29/04
, H01J 31/12
C01B 31/02 101 F
, B82B 1/00
, B82B 3/00
, H01J 9/02 B
, H01J 29/04
, H01J 31/12 C
, H01J 1/30 F
