特許

J-GLOBAL ID：200903085409573690

酸化物材料、酸化物薄膜の製造方法及び該材料を用いた素子

発明者： 木島 健 ,  石原 宏
出願人/特許権者： シャープ株式会社 ,  国立大学法人東京工業大学
代理人 (1件)： 野河 信太郎
公報種別：再公表公報
出願番号（国際出願番号）：JP2001007619
公開番号（公開出願番号）：WO2002-032809
出願日： 2001年09月03日
公開日（公表日）： 2002年04月25日
要約：

ペロブスカイト又は層状ペロブスカイト構造酸化物に、Si、Ge及びSnからなる群から選択される1種以上のIV族元素を含有する触媒物質が固溶してなる酸化物材料。ペロブスカイト又は層状ペロブスカイト構造酸化物材料を低温で結晶化することが可能となり、これら酸化物材料の特性を維持または改善することができる。

請求項（抜粋）：

ペロブスカイト又は層状ペロブスカイト構造酸化物に、Si、Ge及びSnからなる群から選択される1種以上の元素が含有されてなる触媒物質が固溶してなることを特徴とする酸化物材料。

IPC (5件)：

C01B13/32 ,  C01B33/00 ,  C01G29/00 ,  C01G35/00 ,  H01L27/105

FI (5件)：

C01B13/32 ,  C01B33/00 ,  C01G29/00 ,  C01G35/00 C ,  H01L27/10 444C