薄膜半導体装置の製造方法および製造装置

発明者： , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：上柳雅誉 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-108056
公開番号（公開出願番号）：特開2002-305145
出願日： 2001年04月06日
公開日（公表日）： 2002年10月18日
要約：

【要約】【課題】優良な結晶性の多結晶半導体薄膜を安定して製造する。【解決手段】波長が370nm以上710nm以下のパルスレーザ光を半導体膜に照射してレーザ熱処理を行う。この時前記半導体膜に照射したパルスレーザ光の状態および前記半導体膜を透過したパルスレーザ光の状態を検出し、これから所定の半導体膜の結晶化状態が得られたか確認する。所定の結晶化状態が得られたことが確認されたら、前記パルスレーザ光照射位置に対する前記半導体膜の位置を相対的に移動させる。

請求項（抜粋）：

基板上に形成された珪素を主体とする結晶性半導体膜を能動層として用いる薄膜半導体装置の製造において、基板上に堆積された前記半導体膜に370nm以上710nm以下の波長を有するパルスレーザ光を照射する工程を含み、その際に前記半導体膜に照射されるパルスレーザ光の状態(入射光状態)を検出し、前記半導体膜を透過したパルスレーザ光の状態(透過光状態)を検出し、前記入射光状態と前記透過光状態から所定の半導体膜の結晶化状態が得られたか確認し、前記半導体膜に対して所定の結晶化状態が得られたら、パルスレーザ光照射位置に対する半導体膜の位置を相対的に移動させることを特徴とする薄膜半導体装置の製造方法。

IPC (4件)：

H01L 21/20 , H01L 21/268 , H01L 21/336 , H01L 29/786

FI (5件)：

H01L 21/20 , H01L 21/268 J , H01L 21/268 T , H01L 29/78 627 G , H01L 29/78 624

Fターム (19件)：

5F052AA02 , 5F052BA07 , 5F052BB02 , 5F052BB03 , 5F052DA01 , 5F052JA01 , 5F110AA24 , 5F110AA30 , 5F110DD01 , 5F110DD02 , 5F110DD07 , 5F110DD13 , 5F110GG02 , 5F110GG13 , 5F110GG25 , 5F110GG47 , 5F110PP03 , 5F110PP04 , 5F110PP05

引用特許：

審査官引用 (2件)

多結晶半導体膜の製造方法、半導体装置の製造方法、液晶表示装置の製造方法、及びレーザアニール装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-280006 出願人：株式会社東芝
薄膜半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-070276 出願人：セイコーエプソン株式会社, 三菱電機株式会社

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