薄膜半導体装置の製造方法

発明者： , , , , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：鈴木喜三郎 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-070276
公開番号（公開出願番号）：特開2000-269133
出願日： 1999年03月16日
公開日（公表日）： 2000年09月29日
要約：

【要約】【課題】優良な多結晶薄膜半導体装置を比較的低温で製造する。【解決手段】下地保護膜を堆積後、半導体膜を形成する。その後、波長が370nm以上710nm以下のパルスレーザー光を半導体膜に照射する。

請求項（抜粋）：

基板上に形成された硅素(Si)を主体とする結晶性半導体膜を能動層として用いて居る薄膜半導体装置の製造方法に於いて、基板上に下地保護膜と成る酸化硅素膜を形成する下地保護膜形成工程と、該下地保護膜上に硅素(Si)を主体とした半導体膜を形成する第一工程と、該半導体膜に370nm以上710nm以下の波長を有するパルスレーザー光を照射する第二工程とを含む事を特徴とする薄膜半導体装置の製造方法。

IPC (6件)：

H01L 21/20 , C23C 16/24 , C23C 16/56 , H01L 21/205 , H01L 29/786 , H01L 21/336

FI (5件)：

H01L 21/20 , C23C 16/24 , C23C 16/56 , H01L 21/205 , H01L 29/78 627 G

Fターム (83件)：

4K030AA06 , 4K030AA14 , 4K030AA16 , 4K030AA17 , 4K030BA29 , 4K030BB12 , 4K030DA09 , 4K030FA02 , 4K030FA10 , 5F045AA06 , 5F045AB03 , 5F045AB04 , 5F045AC01 , 5F045AD08 , 5F045AE09 , 5F045AF07 , 5F045BB07 , 5F045BB16 , 5F045BB18 , 5F045CA15 , 5F045DA61 , 5F045DA63 , 5F045DA67 , 5F045HA18 , 5F052AA02 , 5F052BA07 , 5F052BB02 , 5F052BB03 , 5F052CA07 , 5F052DA02 , 5F052DA10 , 5F052DB01 , 5F052DB02 , 5F052DB03 , 5F052DB07 , 5F052EA12 , 5F052JA01 , 5F052JA10 , 5F110AA08 , 5F110AA17 , 5F110BB04 , 5F110CC02 , 5F110DD01 , 5F110DD02 , 5F110DD07 , 5F110DD12 , 5F110DD13 , 5F110DD14 , 5F110DD17 , 5F110DD24 , 5F110EE04 , 5F110EE11 , 5F110EE23 , 5F110EE44 , 5F110FF02 , 5F110FF09 , 5F110FF25 , 5F110FF29 , 5F110GG01 , 5F110GG02 , 5F110GG13 , 5F110GG16 , 5F110GG25 , 5F110GG43 , 5F110GG44 , 5F110GG45 , 5F110GG47 , 5F110GG57 , 5F110HJ01 , 5F110HJ04 , 5F110HJ13 , 5F110HJ23 , 5F110HL03 , 5F110HL23 , 5F110NN02 , 5F110NN04 , 5F110NN23 , 5F110NN35 , 5F110NN40 , 5F110PP03 , 5F110PP04 , 5F110PP23 , 5F110QQ11

引用特許：

審査官引用 (3件)

薄膜トランジスタおよびその作製方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-274747 出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
ビームホモジナイザーおよびレーザー照射装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-052833 出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
半導体集積回路およびその作製方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-275396 出願人：株式会社半導体エネルギー研究所

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