プラズマ処理装置及び方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：三好秀和 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-202200
公開番号（公開出願番号）：特開2000-036486
出願日： 1998年07月16日
公開日（公表日）： 2000年02月02日
要約：

【要約】【課題】何等の不具合を生じることなくウェハの周辺部及びベベル部の削れ量を抑制すること。【解決手段】ウェハの外周部に配置されているフォーカスリング内及び設置台内の電磁石また永久磁石により、磁場がウェハ周辺及びベベル部付近に生じると、この磁場により、ウェハの上部に形成されているプラズマの密度が前記周辺部及びベベル部付近で上がり、この付近のイオンエネルギーが低下する。このため、ウェハ周辺部又はべベル部に成膜された酸化膜や窒化膜の前記イオンによるエッチング速度が遅くなり、ウェハ周辺部又はべベル部のシリコン酸化膜や窒化膜の削れ量が抑制される。これにより、プラズマCVDによりウェハの周辺部とベベル部に薄く成膜された酸化膜や窒化膜が削れてシリコンが露出することがなく、剣状シリコンが生成されることがなくなる。

請求項（抜粋）：

反応性ガスを電離させることによってプラズマを発生させ被処理基板を加工する手段と、前記被処理基板を設置する設置手段と、前記被処理基板の外周近傍の磁場強度をその内側領域よりも強くする磁場発生手段を備えたことを特徴とするプラズマ処理装置。

IPC (6件)：

H01L 21/3065 , C23C 16/50 , C23F 4/00 , H01L 21/205 , H01L 21/31 , H05H 1/46

FI (6件)：

H01L 21/302 B , C23C 16/50 , C23F 4/00 G , H01L 21/205 , H01L 21/31 C , H05H 1/46 A

Fターム (62件)：

4K030AA06 , 4K030AA13 , 4K030AA14 , 4K030AA18 , 4K030BA40 , 4K030BA44 , 4K030CA04 , 4K030CA12 , 4K030FA03 , 4K030HA08 , 4K030JA08 , 4K030JA15 , 4K030KA04 , 4K030KA05 , 4K030KA34 , 4K030LA02 , 4K057DA16 , 4K057DA20 , 4K057DB06 , 4K057DB11 , 4K057DB15 , 4K057DB20 , 4K057DD01 , 4K057DE06 , 4K057DE09 , 4K057DM38 , 4K057DM40 , 4K057DN01 , 5F004AA01 , 5F004BA08 , 5F004BB07 , 5F004BB23 , 5F004BD04 , 5F004CA02 , 5F004CA03 , 5F004CA04 , 5F004DA17 , 5F004DA18 , 5F004DB03 , 5F004DB07 , 5F004EB03 , 5F045AA08 , 5F045AB32 , 5F045AB33 , 5F045AC01 , 5F045AC11 , 5F045AC12 , 5F045AC15 , 5F045AD08 , 5F045AE21 , 5F045AF03 , 5F045BB01 , 5F045CB05 , 5F045DC51 , 5F045DP03 , 5F045EB02 , 5F045EH14 , 5F045EH16 , 5F045EH19 , 5F045EM03 , 5F045GB13 , 5F045GB19

引用特許：

審査官引用 (5件)

ECRエッチング装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-160593 出願人：株式会社神戸製鋼所
特開平3-177020
特開平3-004528

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