特許
J-GLOBAL ID:200903085413896577
低抵抗導電性顔料及びその製造方法
発明者:
,
,
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
広瀬 章一
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平5-308320
公開番号(公開出願番号):特開平6-247716
出願日: 1993年12月08日
公開日(公表日): 1994年09月06日
要約:
【要約】 (修正有)【目的】 In+Sn合計量に対して1〜15モル%のSnを含有する錫含有酸化インジウム(ITO) からなる導電性顔料を低抵抗化し、色調を改善する。【構成】 ?@ITO 顔料をアルコール、ケトン、エステルまたはアミン中に浸漬後、減圧または不活性ガス中500 °C以下で熱処理するか、或いはH2、NH3 またはCOを0.5-20vol%含有する不活性ガス中500 °C以下で熱処理して、表面酸性量を8×10-7〜1×10-5 mol/m2 にすると、体積抵抗率(50kg/cm2 圧粉体) が2×100 未満、2×10-2Ω・cm以上となる。?AITO 顔料またはその前駆水酸化物を不活性ガス中または減圧下 300〜1150°Cで熱処理して、ITO 結晶に0.05〜0.35モルの酸素空孔を導入すると、xy色度図上でx値 0.265〜0.300 、y値 0.290〜0.315 の青みを帯びた視認性に優れた色調を持ち、体積抵抗率が8×10-1〜1×10-2Ω・cmとなる。?B上記?Aと?@の処理を順に行う。
請求項(抜粋):
錫を含有する酸化インジウム結晶からなる導電性顔料であって、In+Snの合計量に対するSn含有量が1〜15モル%、表面酸性量が8×10-7〜1×10-5 mol/m2 、かつ50 kg/cm2 圧粉体について四探針法で測定した体積抵抗率が2×100 Ω・cm未満、2×10-2Ω・cm以上であることを特徴とする導電性顔料。
IPC (6件):
C01G 19/00
, C08K 3/22 KAE
, C09C 1/00 PAA
, C09D 5/24 PQW
, H01B 1/00
, H01B 5/14
引用特許:
前のページに戻る