半導体基板の製造方法

発明者： , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：大野聖二 , 森田耕司 , 片山健一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-039504
公開番号（公開出願番号）：特開2007-220899
出願日： 2006年02月16日
公開日（公表日）： 2007年08月30日
要約：

【課題】窒化物系の半導体デバイスを低コストで製造可能な半導体基板を提供すること。【解決手段】第1の基板20上に設けられた窒化物系半導体結晶10に水素イオンを注入して、低転位密度領域12内に水素イオン注入層13を形成する。窒化物系半導体結晶10と第2の基板30とを貼り合わせ、この状態で外部から衝撃を付与して水素イオン注入層13に沿って窒化物系半導体結晶10の低転位密度領域12を分離して低転位密度領域12の表層部12bを第2の基板30上に転写(剥離)する。このとき、低転位密度領域12の下層部12aは第2の基板30上には転写されずに第1の基板20上に残存することとなる。低転位密度領域12の表層部12bが転写された第2の基板30は本発明の製造方法で得られる半導体基板とされ、低転位密度領域12の下層部12aが残存した状態の第1の基板20は再度エピタキシャル成長用の基板として利用される。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

半導体基板の製造方法であって、第1の基板上にエピタキシャル成長させた窒化物系半導体結晶の表面側に水素イオン注入層を形成する第1のステップと、第2の基板の表面及び前記窒化物系半導体結晶の表面の少なくとも一方に表面活性化処理を施す第2のステップと、前記窒化物系半導体結晶の表面と前記第2の基板の表面とを貼り合わせる第3のステップと、前記水素イオン注入層に沿って窒化物系半導体結晶を剥離して前記第2の基板上に窒化物系半導体層を形成する第4のステップと、を備えていることを特徴とする半導体基板の製造方法。

IPC (5件)：

H01L 21/02 , C30B 31/22 , C30B 33/06 , H01L 21/265 , H01L 21/20

FI (5件)：

H01L21/02 B , C30B31/22 , C30B33/06 , H01L21/265 601Q , H01L21/20

Fターム (27件)：

4G077AA03 , 4G077BE11 , 4G077BE13 , 4G077BE15 , 4G077FD02 , 4G077FE20 , 4G077FF07 , 4G077FG02 , 4G077FJ02 , 4G077FJ03 , 4G077HA12 , 5F152LL05 , 5F152LN03 , 5F152LP02 , 5F152LP07 , 5F152LP09 , 5F152MM18 , 5F152NN03 , 5F152NN05 , 5F152NN06 , 5F152NN10 , 5F152NN13 , 5F152NN14 , 5F152NN16 , 5F152NN19 , 5F152NN29 , 5F152NQ09

引用特許：

出願人引用 (2件)

特許第3048201号公報
半導体薄層の移し換え方法とそれに使用するドナーウエハの製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-371675 出願人：エスオーイテクシリコンオンインシュレータテクノロジース

審査官引用 (1件)

半導体薄層の移し換え方法とそれに使用するドナーウエハの製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-371675 出願人：エスオーイテクシリコンオンインシュレータテクノロジース

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