特許
J-GLOBAL ID：200903062813650070

半導体薄層の移し換え方法とそれに使用するドナーウエハの製造方法

発明者：
ファブリス ルテートル

ファブリス ルテートル について

, 
ティボー モーリス

ティボー モーリス について


出願人/特許権者：
エス オー イ テク シリコン オン インシュレータ テクノロジース

エス オー イ テク シリコン オン インシュレータ テクノロジース について


代理人 (1件)： 佐藤 正年 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-371675
公開番号（公開出願番号）：特開2003-224042
出願日： 2002年12月24日
公開日（公表日）： 2003年08月08日
要約：
【要約】【課題】 ドナーウエハからの薄層分離操作の対象となる材料が極めて薄くなったときでも適用可能なドナーウエハからの薄層の継続的な分離移し換え方法を提供する。【解決手段】ドナーウエハの半導体材料から継続的に薄層を受け側のベースウエハへ移し換える方法。半導体材料製の厚手スライス片と支持体とを組み合わせてドナー層と支持体層とを備えたドナーウエハを形成する。ドナーウエハ内に管理された深さで脆弱層を生成し、ドナー層の自由表面側でドナーウエハをベースウエハに貼り合わせ、ドナーウエハを脆弱層で分離して半導体材料の薄層をドナーウエハからベースウエハに移し換え、これをドナーウエハの支持体層を破断させることなく繰り返す。
請求項（抜粋）：
ドナーウエハの半導体材料から継続的に薄層を受け側のベースウエハへ移し換える方法であって、(a)半導体材料からなる厚手スライス片と支持体とを組み合わせ、前記半導体材料のドナー層と支持体層とを備えたドナーウエハを構成する機械的に安定した組立体を形成する工程と、(b)ドナーウエハ内に管理された深さで脆弱層を生成する工程と、(c)ドナーウエハのドナー層の自由表面側でドナーウエハをベースウエハに貼り合わせる工程と、(d)ドナーウエハの脆弱層における分離を実行して半導体材料の薄層をドナーウエハからベースウエハに移し換える工程と、(e)ドナーウエハの支持体層を破断させることなく前記工程(b)〜(d)を繰り返す工程、とを備えたことを特徴とする半導体薄層の移し換え方法。
IPC (2件)：
H01L 21/02 ,  H01L 21/20
FI (2件)：
H01L 21/02 B ,  H01L 21/20
Fターム (1件)：
5F052KB01
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (4件)
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