特許

J-GLOBAL ID：200903085424082954

磁気抵抗効果型素子とそれを用いた薄膜磁気ヘッド、磁気ヘッド装置、磁気ディスク装置

発明者： 佐藤 順一
出願人/特許権者： ティーディーケイ株式会社
代理人 (1件)： 杉村 興作 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-115657
公開番号（公開出願番号）：特開2002-314165
出願日： 2001年04月13日
公開日（公表日）： 2002年10月25日
要約：

【要約】【課題】 外部ノイズを低減し、高S/N比の再生情報を得ることのできる、新規なCPP型の磁気抵抗効果型素子を提供する。【解決手段】 磁気抵抗効果膜1を挟む、第1の上部シールド膜2の上方及び第1の下部シールド膜3の下方に、第2の上部シールド膜4及び第2の下部シールド膜5を形成する。第1の上部シールド膜2及び第1の下部シールド膜3は、磁気抵抗効果膜1に対する電流供給層として、リード膜としても機能させる。

請求項（抜粋）：

磁気抵抗効果膜と、前記磁気抵抗効果膜の一方の面に隣接して設けられた第1のシールド膜と、前記磁気抵抗効果膜の他方の面に隣接するように設けられた第2のシールド膜と、前記第1のシールド膜又は前記第2のシールド膜のどちらか一方において、前記磁気抵抗効果膜と隣接する面とは反対側の面に電気的高抵抗材を介して設けられた第3のシールド膜とを具え、前記第1のシールド膜及び前記第2のシールド膜は、前記磁気抵抗効果膜の厚さ方向に電流を流す電流供給層として機能することを特徴とする、磁気抵抗効果型素子。

IPC (6件)：

H01L 43/08 ,  G01R 33/09 ,  G11B 5/39 ,  H01F 10/16 ,  H01F 10/187 ,  H01F 10/30

FI (6件)：

H01L 43/08 Z ,  G11B 5/39 ,  H01F 10/16 ,  H01F 10/187 ,  H01F 10/30 ,  G01R 33/06 R

Fターム (17件)：

2G017AA01 ,  2G017AB01 ,  2G017AB07 ,  2G017AD55 ,  2G017AD65 ,  5D034BA03 ,  5D034BA08 ,  5D034BB08 ,  5D034BB12 ,  5D034CA04 ,  5E049AA01 ,  5E049AA04 ,  5E049AA07 ,  5E049AA09 ,  5E049BA12 ,  5E049CB01 ,  5E049DB12

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 面垂直電流スピンバルブタイプ磁気抵抗トランスデューサ
  公報種別：公表公報   出願番号：特願平9-542685   出願人：エム・ケイ・イー-クウォンタム・コンポーネンツ・コロラド・リミテッド・ライアビリティ・カンパニー