特許

J-GLOBAL ID：200903085427193200

レーザ割断方法

発明者： 加藤 賢治 ,  近藤 好正 ,  吉野 隆史
出願人/特許権者： 日本碍子株式会社
代理人 (1件)： 渡邉 一平
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-172163
公開番号（公開出願番号）：特開平11-224866
出願日： 1998年06月04日
公開日（公表日）： 1999年08月17日
要約：

【要約】【課題】 単結晶サファイア基板の効率的かつ高精度の割断を行うことで、得られた割断面をそのまま素子あるいはデバイスの機能面として使用することを可能ならしめる、生産性に優れたレーザ割断方法を提供する。【解決手段】 平板面がR面もしくはc面であり、側面にa面を有する単結晶サファイア基板2にCO2レーザ1を照射して単結晶サファイア基板2を割断する方法である。CO2レーザ1をR面もしくはc面上において、a面に垂直な方向へ走査することにより単結晶サファイア基板2を割断した後、CO2レーザをR面もしくはc面上において、a面に平行な方向へ走査することにより割断された単結晶サファイア基板2をさらに割断する。

請求項（抜粋）：

平板面がR面もしくはc面であり、側面にa面を有する単結晶サファイア基板にCO2レーザを照射して当該単結晶サファイア基板を割断する方法であって、当該CO2レーザを当該R面もしくはc面上において、当該a面に垂直な方向へ走査することにより当該単結晶サファイア基板を割断した後、当該CO2レーザを当該R面もしくはc面上において、当該a面に平行な方向へ走査することにより割断された当該単結晶サファイア基板をさらに割断することを特徴とするレーザ割断方法。

IPC (4件)：

H01L 21/301 ,  B23K 26/00 ,  B23K 26/00 320 ,  H01L 33/00

FI (4件)：

H01L 21/78 B ,  B23K 26/00 N ,  B23K 26/00 320 E ,  H01L 33/00 C

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 非方形電子チップの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-256749   出願人：ヒューレット・パッカード・カンパニー
• 特開昭58-044739