特許
J-GLOBAL ID：200903085427291368
不揮発性半導体記憶装置及びその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
後藤 洋介 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-319208
公開番号（公開出願番号）：特開平11-154740
出願日： 1997年11月20日
公開日（公表日）： 1999年06月08日
要約：
【要約】【課題】 不揮発性メモリセルの分離間隔を縮小投影露光の分解能による限界より小さくすることにより、メモリの集積度を向上させる。【解決手段】 相隣り合う第1種の不揮発性メモリセル(甲)と第2種の不揮発性メモリセル(乙)とを、縮小投影露光の分解能の限界による最小寸法より薄い絶縁膜(20)で分離する。そのために、縮小投影露光装置の分解能の限界による最小寸法で分離された第1種の不揮発性メモリセル(甲)を作成した後、第1種の不揮発性メモリセル(甲)の表面を最小寸法より薄い絶縁膜(20)で覆う。その後、第1種の不揮発性メモリセル(甲)の間に、順次、第1の絶縁膜(14)、浮遊ゲート(31)、第2の絶縁膜(32)、制御ゲート(33)を形成して第2種の不揮発性メモリセル(乙)を作成する。
請求項（抜粋）：
主表面を持つ第1導電型半導体基板と、該主表面に形成された前記第1導電型とは逆極性の第2導電型のドレイン領域及び第2導電型のソース領域と、前記ドレイン領域と前記ソース領域との間に形成されたチャネル領域と、該チャネル領域上に順次形成された第1の絶縁膜、浮遊ゲート、第2の絶縁膜、および制御ゲートとを有する不揮発性メモリセルを、複数個平面状に配列してなる不揮発性半導体記憶装置において、ソース領域とドレイン領域とを結ぶ線と直交する方向に相隣り合う2つの不揮発性メモリセルが分離用絶縁膜で電気的に分離されており、前記分離用絶縁膜の厚さが縮小投影露光装置の解像度の限界による最小寸法より薄いことを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。
IPC (4件)：
H01L 27/115
, H01L 21/8247
, H01L 29/788
, H01L 29/792
H01L 27/10 434
, H01L 29/78 371
