特許

J-GLOBAL ID：200903085428232144

窒化物半導体レーザ素子

発明者： 中村 修二 ,  長濱 慎一 ,  岩佐 成人
出願人/特許権者： 日亜化学工業株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-332056
公開番号（公開出願番号）：特開平9-219556
出願日： 1995年12月20日
公開日（公表日）： 1997年08月19日
要約：

【要約】【目的】 窒化物半導体よりなる具体的なLDの構造を提案して、窒化物半導体でレーザ素子を実現する。【構成】 少なくとも基板の上にInXAlYGa1-X-YN(0≦X、0≦Y、X+Y≦1)よりなるn型コンタクト層と、Alを含む窒化物半導体よりなる第一のn型クラッド層と、Inを含む窒化物半導体若しくはGaNよりなる第二のn型クラッド層と、多重量子井戸構造の窒化物半導体よりなる活性層と、Alを含む窒化物半導体よりなる第一のp型クラッド層と、Inを含む窒化物半導体若しくはGaNよりなる第二のp型クラッド層と、Alを含む窒化物半導体よりなる第三のp型クラッド層と、InXAlYGa1-X-YN(0≦X、0≦Y、X+Y≦1)よりなるp型コンタクト層とが積層された構造を有する。

請求項（抜粋）：

少なくとも基板の上にInXAlYGa1-X-YN(0≦X、0≦Y、X+Y≦1)よりなるn型コンタクト層と、Alを含む窒化物半導体よりなる第一のn型クラッド層と、Inを含む窒化物半導体若しくはGaNよりなる第二のn型クラッド層と、多重量子井戸構造の窒化物半導体よりなる活性層と、Alを含む窒化物半導体よりなる第一のp型クラッド層と、Inを含む窒化物半導体若しくはGaNよりなる第二のp型クラッド層と、Alを含む窒化物半導体よりなる第三のp型クラッド層と、InXAlYGa1-X-YN(0≦X、0≦Y、X+Y≦1)よりなるp型コンタクト層とが積層された構造を有することを特徴とする窒化物半導体レーザ素子。

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 半導体発光素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-027522   出願人：松下電器産業株式会社