特許
J-GLOBAL ID：200903016671181190
半導体発光素子
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
滝本 智之 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-027522
公開番号（公開出願番号）：特開平9-191160
出願日： 1996年02月15日
公開日（公表日）： 1997年07月22日
要約：
【要約】【課題】 安定な自励発振特性を有する半導体レーザを提供する。【解決手段】 n型SiC基板101上に、n型GaN層102、n型AlGaNクラッド層103n、n型GaN型光ガイド層104n、InGaN量子井戸活性層105、p型GaN光ガイド層104p、p型AlGaNクラッド層103p、p型GaNコンタクト層105が順次形成されている。さらに、p型光ガイド層104p中には、InGaN可飽和吸収層200が形成されている。この構造では、可飽和吸収層の体積を小さくすると同時に光ガイド層中に可飽和吸収層を設けている。可飽和吸収層の体積を小さくするほど、キャリア密度を容易に上げることができ、飽和状態になりやすく、可飽和吸収の効果が顕著となる。これにより、安定した自励発振特性が得られる。
請求項（抜粋）：
活性領域は、窒化ガリウム系化合物半導体により構成され、自励発振特性を有することを特徴とする半導体発光素子。
IPC (2件)：
FI (2件)：
引用特許：
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