特許

J-GLOBAL ID：200903085431550076

配線構造およびその製造方法

発明者： 駒井 尚紀 ,  門村 新吾 ,  田口 充 ,  由尾 啓 ,  宮本 孝章
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 船橋 國則
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-320115
公開番号（公開出願番号）：特開2000-150647
出願日： 1998年11月11日
公開日（公表日）： 2000年05月30日
要約：

【要約】【課題】 金属を埋め込んで形成される配線構造では、金属の埋め込み不良によりボイド等が発生して接続不良を引き起こし、信頼性の低下を来していた。またコンタクト部のバリアメタル層によりコンタクト抵抗が大きくなっていた。【解決手段】 絶縁膜11中に形成された導電体12上に接続するものでこの絶縁膜11に形成された凹部(例えば接続孔、溝、もしくは溝および該溝の底部に形成した接続孔)13と、凹部13の側壁に形成されたバリアメタル層14と、凹部13の内部に埋め込まれた金属材料体15,16とを備えた配線構造であって、金属材料体15,16は複数回にわたって凹部13内に埋め込まれた金属からなり、金属材料体15と導電体12とは直接に接続されているものである。

請求項（抜粋）：

絶縁膜中に形成された導電体上に接続するもので該絶縁膜に形成された凹部と、前記凹部の側壁に形成されたバリアメタル層と、前記凹部の内部に埋め込まれた金属材料体と、を備えた配線構造であって、前記金属材料体は複数回にわたって前記凹部内に埋め込まれた金属からなり、前記金属材料体と前記導電体とは直接に接続されていることを特徴とする配線構造。

IPC (3件)：

H01L 21/768 ,  H01L 21/3213 ,  H01L 21/3205

FI (4件)：

H01L 21/90 B ,  H01L 21/88 D ,  H01L 21/88 K ,  H01L 21/88 R

Fターム (50件)：

5F033HH11 ,  5F033HH19 ,  5F033HH21 ,  5F033HH23 ,  5F033HH32 ,  5F033HH33 ,  5F033HH34 ,  5F033JJ08 ,  5F033JJ11 ,  5F033JJ19 ,  5F033JJ21 ,  5F033JJ23 ,  5F033JJ32 ,  5F033JJ33 ,  5F033JJ34 ,  5F033KK07 ,  5F033KK09 ,  5F033KK11 ,  5F033KK12 ,  5F033KK13 ,  5F033KK14 ,  5F033KK15 ,  5F033KK16 ,  5F033KK33 ,  5F033MM02 ,  5F033MM10 ,  5F033MM12 ,  5F033NN03 ,  5F033NN05 ,  5F033NN07 ,  5F033NN12 ,  5F033PP07 ,  5F033PP15 ,  5F033PP17 ,  5F033PP27 ,  5F033PP28 ,  5F033PP33 ,  5F033QQ08 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ13 ,  5F033QQ23 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ48 ,  5F033RR04 ,  5F033RR06 ,  5F033SS15 ,  5F033TT02 ,  5F033XX02 ,  5F033XX04 ,  5F033XX09

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 連続高伝導金属配線およびその製法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-087234   出願人：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション
• 半導体装置の製造方法および半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-249984   出願人：株式会社東芝