特許

J-GLOBAL ID：200903085517554074

多層構造におけるTaSiN酸素拡散バリア

発明者： ポール・デーヴィド・アニェロ ,  シリル・カブラル・ジュニア ,  アルフレッド・グリル ,  クリストファー・ヴィンセント・ジャーネス ,  トマス・ジョン・リカータ ,  ロノン・アンドリュー・ロイ
出願人/特許権者： インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション
代理人 (1件)： 合田 潔 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-001500
公開番号（公開出願番号）：特開平8-236479
出願日： 1996年01月09日
公開日（公表日）： 1996年09月13日
要約：

【要約】【課題】 多層構造における酸素またはドーパントの拡散バリアを提供する。【解決手段】 高融点金属-シリコン-窒素合金よりなる、導電性で熱安定性のある材料で製造した酸素またはドーパント拡散バリアを有する多層構造は、酸化に耐性で、シリコンからのドーパントの外方拡散を防ぎ、広いプロセス・ウィンドウを有する。ここで使用される高融点金属はTa、W、Nb、V、Ti、Zr、Hf、CrおよびMoから選択される。この構造は、高透電率の絶縁体を使用するDRAMS、FERAMS、およびNVRAMS用ベース電極として、またCMOSデバイスのポリサイド・ゲート・スタックの拡散バリアとして最適である。

請求項（抜粋）：

上面を有する導電性基層と前記導電性基層の上面に付着した高融点金属-シリコン-窒素拡散バリアとを備え、酸素との接触時に、前記高融点金属-シリコン-窒素拡散バリアが前記導電性基層を酸化から保護する、多層構造。

IPC (8件)：

H01L 21/28 301 ,  H01L 21/28 ,  H01L 21/46 ,  H01L 21/8238 ,  H01L 27/092 ,  H01L 27/108 ,  H01L 21/8242 ,  H01L 29/78

FI (6件)：

H01L 21/28 301 R ,  H01L 21/28 301 A ,  H01L 21/46 ,  H01L 27/08 321 E ,  H01L 27/10 671 Z ,  H01L 29/78 301 G

引用特許：

審査官引用 (8件)

• 特開昭60-173872
  
• 半導体集積回路用受動素子の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-064922   出願人：松下電器産業株式会社
• 半導体装置およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-006061   出願人：三菱電機株式会社
• 特開昭62-089355
  
• 特開平3-224268
  
• 特開昭60-173872
  
• 特開昭58-166770
  
• 特開昭58-166770