特許
J-GLOBAL ID：200903085529192160
半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
篠部 正治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-124901
公開番号（公開出願番号）：特開平11-330451
出願日： 1998年05月07日
公開日（公表日）： 1999年11月30日
要約：
【要約】【課題】サージ耐量が高く、高温電圧印加に対する信頼性を確保する。【解決手段】p基板1の表面層にnドレイン領域2を形成し、nドレイン領域2の表面層にpベース領域3を形成し、pベース領域3の表面層にストライプ状のnソース領域4を形成し、nソース領域4の端部Bにpベースピックアップ領域5を形成する。
請求項（抜粋）：
第1導電形半導体基板上に、第2導電形ドレイン領域を選択的に形成し、該ドレイン領域の表面層に第1導電形ベース領域を選択的に形成し、該ベース領域の表面層に第2導電形ソース領域を選択的に形成し、該ソース領域に前記ベース領域と接する第1導電形ベースピックアップ領域を形成し、該ソース領域と前記ドレイン領域に挟まれる前記ベース領域上にゲート酸化膜を介してゲート電極を形成し、前記ソース領域の平面パターンをストライプ状に形成した半導体装置において、該ストライプ状のソース領域の長手方向の端部に前記第1導電形ベースピックアップ領域を形成することを特徴とする半導体装置。
引用特許：
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