特許
J-GLOBAL ID:200903085535442313

セラミックス基板の製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2002-121940
公開番号(公開出願番号):特開2003-318313
出願日: 2002年04月24日
公開日(公表日): 2003年11月07日
要約:
【要約】【課題】高周波領域において十分な特性を得ることができるようにするため、フォトリソグラフィー法を用いた高アスペクト比かつ高精細のビアホール形成が可能であると共にビアホール形成後の状態が後工程の加工において適切な状態であるセラミックス基板の製造方法を提供する。【解決手段】無機粒子と感光性有機成分を含む感光性セラミックス組成物であり、該無機粒子の30重量%以上が平均粒径420nm以下の無機粒子である感光性セラミックス組成物を用いたセラミックス基板を現像する方法であって、スプレー法、浸漬法から選ばれる少なくとも1種類の現像工程と超音波による現像工程を有することを特徴とするセラミックス基板の製造方法。
請求項(抜粋):
無機粒子と感光性有機成分を含む感光性セラミックス組成物であり、該無機粒子の30重量%以上が平均粒径420nm以下の無機粒子である感光性セラミックス組成物を用いたセラミックス基板を現像する方法であって、スプレー法、浸漬法から選ばれる少なくとも1種類の現像工程と超音波による現像工程を有することを特徴とするセラミックス基板の製造方法。
IPC (3件):
H01L 23/12 ,  H05K 1/03 610 ,  H05K 3/00
FI (3件):
H05K 1/03 610 D ,  H05K 3/00 K ,  H01L 23/12 D
引用特許:
審査官引用 (2件)

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