特許
J-GLOBAL ID：200903085537109719
磁気変換素子および薄膜磁気ヘッド
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
三反崎 泰司 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-392710
公開番号（公開出願番号）：特開2001-267658
出願日： 2000年12月25日
公開日（公表日）： 2001年09月28日
要約：
【要約】【課題】 超高密度記録に対応できる抵抗特性を有し、熱安定性に優れた磁気変換素子および薄膜磁気ヘッドを提供する。【解決手段】 磁気変換素子であるMR素子110は、交互に積層された磁性層22a〜22fと非磁性層21a〜21fとを含む積層体20とを有している。非磁性層21a〜21fのうち最も下側の層は、下地層21aとなっている。下地層21aは、NiおよびCrを含む材料により構成されている。この下地層21aの作用により、磁性層22a〜22fの結晶性が向上すると共に、磁性層22a〜22fと非磁性層21b〜22fとの界面の平坦性が向上し、その結果、熱安定性が向上し、かつ、大きな抵抗変化率が得られる。
請求項（抜粋）：
交互に積層された複数の磁性層と複数の非磁性層とを含む積層体を有すると共に、前記非磁性層のうちの少なくとも1つが、ニッケル(Ni)およびクロム(Cr)を含むことを特徴とする磁気変換素子。
IPC (2件)：
FI (2件)：
Fターム (5件)：
5D034BA03
, 5D034BA08
, 5D034BA15
, 5D034BB08
, 5D034CA06
