特許
J-GLOBAL ID：200903085581312424

メカノケミカル研磨装置

発明者：
松井 正樹

松井 正樹 について


出願人/特許権者：
株式会社デンソー

株式会社デンソー について


代理人 (2件)： 恩田 博宣 ,  恩田 誠
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-003055
公開番号（公開出願番号）：特開2006-121111
出願日： 2006年01月10日
公開日（公表日）： 2006年05月11日
要約：
【課題】SiCなどの硬質材料を低い加工圧力でも効率よく研磨することができるメカノケミカル研磨方法及びメカノケミカル研磨装置を提供する。【解決手段】研磨定盤1には研磨布2が貼り付けられている。研磨定盤1の上方においてウェハ保持用テーブル3が配置され、ウェハ保持用テーブル3にSiCウェハ4が保持される。研磨定盤1の上方において注液器5が設置され、注液器5から薬液(過酸化水素水に酸化クロム砥粒を分散させたもの)6が研磨布2上に滴下される。SiCウェハ4の研磨する面を、研磨定盤1に貼り付けられた研磨布2に所定の加工圧力で押し付け、ウェハ保持用テーブル3と研磨定盤1を回転させ、研磨布2上に薬液6を滴下しながら研磨が行われる。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
酸化クロム(III)の粉末を砥粒として用い、被研磨材である半導体ウェハの研磨を行うメカノケミカル研磨装置において、 半導体ウェハに対し相対運動する部材の表面に研磨布を配するとともに、研磨面に酸化性の薬液として過酸化水素水を供給するための注液器を設け、研磨面が所定の圧力で押し付けられる前記研磨布上に過酸化水素水を滴下しながら研磨することを特徴とするメカノケミカル研磨装置。
IPC (3件)：
H01L 21/304 ,  B24B 37/00 ,  C09K 3/14
FI (7件)：
H01L21/304 621D ,  B24B37/00 C ,  B24B37/00 H ,  H01L21/304 622B ,  H01L21/304 622F ,  C09K3/14 550D ,  C09K3/14 550Z
Fターム (7件)：
3C058AA07 ,  3C058AA09 ,  3C058CA01 ,  3C058CB03 ,  3C058DA02 ,  3C058DA12 ,  3C058DA17
引用特許：
出願人引用 (2件) 審査官引用 (5件)
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