特許

J-GLOBAL ID：200903085619267827

反射防止膜の形成方法

発明者： 橋本 修一 ,  笠間 邦彦
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 志賀 正武
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-293053
公開番号（公開出願番号）：特開平9-134871
出願日： 1995年11月10日
公開日（公表日）： 1997年05月20日
要約：

【要約】【課題】 基板に段差がある場合でも膜厚が均一になり、反射率のむらを生じさせることのない反射防止膜の形成方法を提供する。【解決手段】 半導体基板1上に光酸発生剤2の薄膜を形成する工程と、その上に染料と架橋剤を含んだネガ型レジスト樹脂3を形成する工程と、遠紫外線による半導体基板の全面露光、ベーク、現像を施し、光酸発生剤2の近傍部分のみで架橋反応を起こさせることにより、半導体基板1の段差に沿った反射防止膜5を形成する工程を備えている。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に光酸発生剤の薄膜を形成する工程と、架橋剤を含み実際のレジストパターン露光時に用いる光に対して吸光性を持つ非感光性のネガレジスト樹脂からなる膜を前記薄膜上に形成する工程と、紫外線または遠紫外線を用いて前記半導体基板全面の露光を行い、さらに、ベーク、現像を行うことによって前記半導体基板上に前記ネガレジスト樹脂の薄膜を反射防止膜として残す工程とを備えたことを特徴とする反射防止膜の形成方法。

IPC (3件)：

H01L 21/027 ,  G03F 7/004 503 ,  G03F 7/038 505

FI (3件)：

H01L 21/30 574 ,  G03F 7/004 503 ,  G03F 7/038 505

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 薄膜形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-234338   出願人：株式会社東芝
• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-186216   出願人：富士通株式会社