有機半導体膜及びその製造方法、有機薄膜トランジスタ及びその製造方法

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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-151379
公開番号（公開出願番号）：特開2007-324288
出願日： 2006年05月31日
公開日（公表日）： 2007年12月13日
要約：

【課題】TFT特性が良好で、生産効率が高い溶液プロセスにより製造する有機半導体膜及びその製造方法、該有機半導体膜を用いた有機薄膜トランジスタ及びその製造方法を提供することにある。【解決手段】有機半導体膜を形成する基体の表面に表面処理が施された有機半導体膜において、該表面処理に用いられる表面処理剤が、下記一般式(1)で表される部分構造を有する化合物を含有することを特徴とする有機半導体膜。【化1】(式中、Lはπ共役系の部分構造を有する2価の連結基を表し、XはC、Si、Ge、SnまたはPbを表し、R1及びR2は置換基を表し、R3は水素原子、ハロゲン原子または置換基を表す。)【選択図】なし

請求項（抜粋）：

有機半導体膜を形成する基体の表面に表面処理が施された有機半導体膜において、該表面処理に用いられる表面処理剤が、下記一般式(1)で表される部分構造を有する化合物を含有することを特徴とする有機半導体膜。

IPC (4件)：

H01L 51/30 , H01L 51/05 , H01L 51/40 , H01L 29/786

FI (5件)：

H01L29/28 280 , H01L29/28 100A , H01L29/28 390 , H01L29/78 618B , H01L29/78 626C

Fターム (40件)：

5F110AA16 , 5F110BB01 , 5F110CC01 , 5F110CC07 , 5F110DD01 , 5F110DD02 , 5F110DD03 , 5F110DD12 , 5F110DD13 , 5F110DD14 , 5F110DD17 , 5F110EE03 , 5F110EE04 , 5F110EE08 , 5F110EE34 , 5F110EE44 , 5F110EE47 , 5F110EE48 , 5F110FF01 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110FF09 , 5F110FF23 , 5F110FF24 , 5F110FF27 , 5F110FF29 , 5F110FF36 , 5F110GG05 , 5F110GG24 , 5F110GG25 , 5F110GG28 , 5F110GG29 , 5F110GG42 , 5F110GG57 , 5F110HK01 , 5F110HK02 , 5F110HK07 , 5F110HK21 , 5F110HK32 , 5F110HK33

引用特許：

出願人引用 (7件)

半導体装置の製造方法、有機薄膜トランジスタの製造方法、電気光学装置の製造方法、電子機器
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-182148 出願人：セイコーエプソン株式会社
有機回路の作製プロセス
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-090010 出願人：ルーセントテクノロジーズインコーポレーテッド
国際公開第03/65409号パンフレット

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