半導体装置の製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：京本直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-133706
公開番号（公開出願番号）：特開平8-330249
出願日： 1995年05月31日
公開日（公表日）： 1996年12月13日
要約：

【要約】【目的】保護絶縁膜をマスクに配線を形成する方法において、高精度の微細な配線パターンを形成する。【構成】半導体基板の表面部に導電体材膜を形成する工程と、前記導電体材膜上に積層して半導体酸化膜あるいは半導体窒化膜で構成される無機絶縁膜を堆積する工程と、感光性レジスト膜をパターニングするフォトリソグラフィで用いる感光用照射光の反射防止膜を前記無機絶縁膜上に形成する工程と、前記反射防止膜上に前記感光性レジスト膜を形成し所定の形状にパターニングする工程とを含み、前記無機絶縁膜をマスクとして前記導電体材膜および前記反射防止膜をドライエッチングする工程とを含む。

請求項（抜粋）：

半導体基板の表面部に導電体材膜を形成する工程と、前記導電体材膜上に積層して半導体酸化膜あるいは半導体窒化膜で構成される無機絶縁膜を堆積する工程と、感光性レジスト膜をパターニングするフォトリソグラフィで用いる感光用照射光の反射防止膜を前記無機絶縁膜上に形成する工程と、前記反射防止膜上に前記感光性レジスト膜を形成し所定の形状にパターニングする工程と、を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (6件)：

H01L 21/28 , H01L 21/28 301 , G03F 7/11 503 , H01L 21/027 , H01L 21/3065 , H01L 21/3213

FI (6件)：

H01L 21/28 F , H01L 21/28 301 D , G03F 7/11 503 , H01L 21/30 574 , H01L 21/302 H , H01L 21/88 D

引用特許：

審査官引用 (4件)

配線パターンの製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-216754 出願人：ソニー株式会社
特開昭62-293645
特開平2-237108

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