特許
J-GLOBAL ID：200903066889800174
配線パターンの製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小池 晃 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-216754
公開番号（公開出願番号）：特開平7-074170
出願日： 1993年08月31日
公開日（公表日）： 1995年03月17日
要約：
【要約】 (修正有)【構成】 第1の配線層上に形成されたオフセット酸化膜上に例えばSixOyNz膜よりなる反射防止膜を形成し、反射防止膜上にレジストを設けて、パターニングを行い積層膜6を形成する。この積層膜6にサイドウォール7を形成する。サイドウォール7で囲まれた領域のうち、必要な領域にn形の不純物例えばリン(P)を選択的にイオン注入してシリコン基板1の表面にn形の不純物拡散領域11を形成する。サイドウォール7の内側に第2のサイドウォール9を形成すると同時にシリコン基板1まで達するコンタクトホール10を自己整合的に形成する。最後に第2の配線層12を形成する。【効果】 反射膜に光学適的な変質を起こさせず、定在波効果を抑圧でき、良好なパターニングができ、絶縁膜の膜減りを低減できる。
請求項（抜粋）：
第1の配線層上に絶縁膜を介して第2の配線層が形成され該第2の配線層がコンタクトホールを介して下層の配線層に接続される配線パターンの製造方法において、上記第1の配線層上に絶縁膜を形成する工程と、上記絶縁膜上に反射防止膜を形成する工程と、上記第1の配線層、上記絶縁膜及び上記反射防止膜をパターニングする工程と、上記パターニングにより形成された上記第1の配線層、上記絶縁膜及び上記反射防止膜よりなる積層膜にサイドウォールを形成する工程と、上記サイドウォールが形成された積層膜及び上記下層の配線層の全面に層間絶縁膜を形成した後、上記サイドウォールをマスクとして上記下層の配線層に通ずるコンタクトホールを形成する工程と、上記コンタクトホールから露出する上記下層の配線層上に上記第2の配線層を形成する工程とを有することを特徴とする配線パターンの製造方法。
IPC (3件)：
H01L 21/3205
, H01L 21/027
, H01L 21/768
H01L 21/88 B
, H01L 21/30 574
, H01L 21/90 B
