特許

J-GLOBAL ID：200903085621692896

半導体ウェハ熱処理装置

発明者： 南 眞嗣
出願人/特許権者： 株式会社半導体先端テクノロジーズ
代理人 (1件)： 高田 守 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-355815
公開番号（公開出願番号）：特開2001-176810
出願日： 1999年12月15日
公開日（公表日）： 2001年06月29日
要約：

【要約】【課題】 本発明は半導体ウェハに熱処理を施すための熱処理装置に関し、少数キャリアのライフタイムを短縮することなく熱処理を行うことを目的とする。【解決手段】 反応管11の中に反応ガスを導いく反応ガス導入管7を設ける。反応管11の内部に、ウェハボート8に支持された複数の半導体ウェハ12を挿入する。それぞれの半導体ウェハ12に冷却ガスを直接吹き付けるための冷却ガス導入管6と、反応管11の内部に導かれた冷却ガスを排気するための冷却ガス排出管3とを設ける。

請求項（抜粋）：

反応管の中に反応ガスを導いて半導体ウェハに熱処理を施す熱処理装置であって、反応管の内部に保持されている半導体ウェハに冷却ガスを吹き付けるための冷却ガス導入管と、反応管の内部に導かれた冷却ガスを排気するために、前記冷却ガス導入管と対向する位置に設けられる冷却ガス排出管と、を備えることを特徴とする半導体ウェハ熱処理装置。

IPC (3件)：

H01L 21/22 511 ,  H01L 21/22 ,  H01L 21/31

FI (3件)：

H01L 21/22 511 A ,  H01L 21/22 511 S ,  H01L 21/31 E

Fターム (13件)：

5F045AA20 ,  5F045AB32 ,  5F045AC11 ,  5F045AD13 ,  5F045AF03 ,  5F045BB16 ,  5F045DP19 ,  5F045EC02 ,  5F045EF02 ,  5F045EF03 ,  5F045EF05 ,  5F045EF20 ,  5F045EJ10

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-301081   出願人：株式会社エフティーエル

審査官引用 (1件)

• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-301081   出願人：株式会社エフティーエル