特許
J-GLOBAL ID：200903085653242469
炭化珪素単結晶の製造方法および製造装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
恩田 博宣
, 恩田 誠
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-102016
公開番号（公開出願番号）：特開2004-311649
出願日： 2003年04月04日
公開日（公表日）： 2004年11月04日
要約：
【課題】効率的かつ定常的に結晶成長させることができる炭化珪素単結晶の製造方法および製造装置を提供する。【解決手段】反応容器11の内部に種結晶となる炭化珪素単結晶基板13を配置し、反応容器11内に、Siを含有するガスとCを含有するガスとを含む原料ガスを導入することにより、基板13から炭化珪素単結晶21を成長させる。このとき、加熱装置(15,16,17,20)は、基板13への原料ガスを基板13での温度よりも高くなるように加熱する。反応容器11は、加熱した原料ガスを用いて基板13から結晶成長させた後の成長に寄与しなかった原料ガスを再び上流側に戻す。カーボン断熱材(吸収材)12は、戻された原料ガスを加熱装置(15,16,17,20)により再び加熱した後の原料ガスを吸収する。【選択図】 図2
請求項（抜粋）：
反応容器(1,11)の内部に種結晶となる炭化珪素単結晶基板(2,13)を配置し、前記反応容器(1,11)内に、Siを含有するガスとCを含有するガスとを含む原料ガスを導入することにより、前記種結晶となる炭化珪素単結晶基板(2,13)から炭化珪素単結晶(3,21)を成長させる炭化珪素単結晶の製造方法において、
原料ガスの流れとして、種結晶となる炭化珪素単結晶基板(2,13)の上流において原料ガスを加熱した後、それよりも低温に保持された種結晶となる炭化珪素単結晶基板(2,13)から結晶成長させ、さらに、成長に寄与しなかった原料ガスを再び加熱した後、吸収材(4,12)に吸収させるようにしたことを特徴とする炭化珪素単結晶の製造方法。
IPC (3件)：
H01L21/205
, C30B25/14
, C30B29/36
H01L21/205
, C30B25/14
, C30B29/36 A
4G077AA02
, 4G077BE08
, 4G077DB01
, 4G077DB11
, 4G077EA02
, 4G077ED06
, 4G077EG14
, 4G077EG24
, 4G077EG25
, 4G077HA12
, 4G077TA04
, 4G077TA07
, 4G077TA12
, 4G077TD04
, 4G077TF01
, 4G077TF06
, 4G077TG06
, 4G077TH07
, 4G077TH09
, 4G077TJ03
, 5F045AA06
, 5F045AB06
, 5F045AD18
, 5F045AF02
, 5F045DP05
, 5F045DP28
, 5F045DQ04
, 5F045EB02
, 5F045EE20
, 5F045EF14
, 5F045EG08
, 5F045EJ02
, 5F045EJ10
, 5F045EK06
, 5F045EK30
, 5F045EM02
, 5F045EM10
