半導体発光装置の製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：滝本智之 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-137977
公開番号（公開出願番号）：特開平11-330620
出願日： 1998年05月20日
公開日（公表日）： 1999年11月30日
要約：

【要約】【課題】発光素子を静電気保護素子等のサブマウント素子のウエハー上に搭載する工程を時間短縮するとともにハンドリングも向上し得る製造方法の提供。【解決手段】 p側及びn側の電極を含む静電気保護用のSiダイオード1のパターンを行列状に形成したウエハー4の上に、半導体発光素子2をフリップチップ型として導通搭載する製造方法であって、Siダイオード1の複数の互いに隣接するパターンに対応する複数の半導体発光素子2を形成したウエハー片3をSiダイオードウエハー4の行列に合わせて搭載し、ウエハー片3の複数の半導体発光素子2のそれぞれが単体に分離されるようにウエハー片3及びSiダイオードウエハー4を同時にダイシングする。

請求項（抜粋）：

透明基板の上に半導体薄膜層を積層するとともにこの積層膜の表面側にp側及びn側の電極をそれぞれ形成した半導体発光素子が、2つ以上の電極を持つサブマウント素子上に搭載接合された半導体発光装置の製造方法であって、ウエハーに前記サブマウント素子のパターンを行列状に形成し、前記ウエハーのサブマウント素子のパターンに対応して複数の半導体発光素子を行列状に形成したウエハー片を前記ウエハー上に電極パターンの行列に合わせて搭載接合した後、前記ウエハー片の複数の半導体発光素子のそれぞれが単体に分離されるように前記ウエハー片及び前記ウエハーを同時にダイシングする半導体発光装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01S 3/18 , H01L 21/301 , H01L 33/00

FI (3件)：

H01S 3/18 , H01L 33/00 N , H01L 21/78 Q

引用特許：

審査官引用 (7件)

特開昭63-127444
特開昭59-188181
特開昭62-045193

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