特許

J-GLOBAL ID：200903085665395570

電界放射型電子源およびその製造方法

発明者： 菰田 卓哉
出願人/特許権者： 松下電工株式会社
代理人 (1件)： 西川 惠清 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-115707
公開番号（公開出願番号）：特開2000-306494
出願日： 1999年04月23日
公開日（公表日）： 2000年11月02日
要約：

【要約】【課題】電子を安定して高効率で放出できる低コストの電界放射型電子源およびその製造方法を提供する。【解決手段】n形シリコン基板1の主表面側に強電界ドリフト部6が形成され、強電界ドリフト部6上に金薄膜よりなる表面電極7が形成されている。また、n形シリコン基板1の裏面にはオーミック電極2が形成されている。この電界放射型電子源10では、表面電極7を真空中に配置し、表面電極7をオーミック電極2に対して正極として直流電圧を印加することにより、n形シリコン基板1から注入された電子が強電界ドリフト部6をドリフトし表面電極7を通して放出される。強電界ドリフト部6は、導電性基板たるn形シリコン基板1の厚み方向に直交する断面が網目状に形成され上記電子がドリフトするドリフト部61と、網目の中に満たされたドリフト部61よりも熱伝導性の良い放熱部62とからなる。

請求項（抜粋）：

導電性基板と、導電性基板の一表面側に形成された強電界ドリフト部と、該強電界ドリフト部上に形成された金属薄膜よりなる表面電極とを備え、表面電極を導電性基板に対して正極として直流電圧を印加することにより導電性基板から注入された電子が強電界ドリフト部をドリフトし表面電極を通して放出される電界放射型電子源であって、強電界ドリフト部は、導電性基板の厚み方向に直交する断面が網目状に形成され上記電子がドリフトするドリフト部と、網目の中に満たされドリフト部よりも熱伝導性の良い放熱部とからなることを特徴とする電界放射型電子源。

IPC (2件)：

H01J 1/312 ,  H01J 9/02

FI (2件)：

H01J 1/30 M ,  H01J 9/02 M

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 電子放出素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-071864   出願人：パイオニア株式会社