特許
J-GLOBAL ID：200903085681186477

シリコン構造体製造方法、モールド金型製造方法、シリコン構造体、インクジェット記録ヘッド、画像形成装置、及び、半導体装置

発明者：
福川 敦

福川 敦 について

, 
村田 道昭

村田 道昭 について


出願人/特許権者：
富士ゼロックス株式会社

富士ゼロックス株式会社 について


代理人 (4件)： 中島 淳 ,  加藤 和詳 ,  西元 勝一 ,  福田 浩志
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-245647
公開番号（公開出願番号）：特開2006-062148
出願日： 2004年08月25日
公開日（公表日）： 2006年03月09日
要約：
【課題】 微細構造を高精度で形成することができるシリコン構造体製造方法、モールド金型製造方法、シリコン構造体、インクジェット記録ヘッド、画像形成装置、及び、半導体装置を提供することを課題とする。【解決手段】 パターンニングされた酸化膜114が形成されたシリコン基板にトレンチエッチングを行い、壁部122で区画された溝118を形成する。更に、酸化膜114を除去する。更に、壁部122の上部に形成されているバリ121を全面にドライエッチングにすることにより除去する。【選択図】 図17
請求項（抜粋）：
パターンニングされたマスクが形成されたシリコン基板にトレンチエッチングを行うことによって微細な凸部又は凹部の少なくとも一方を形成するシリコン構造体製造方法であって、 サイクルエッチングを行うことによりトレンチを形成するトレンチ形成工程と、 前記トレンチの開口縁に形成されているバリを除去するバリ除去工程と、を行うことを特徴とするシリコン構造体製造方法。
IPC (7件)：
B29C 41/40 ,  B81C 1/00 ,  B41J 2/16 ,  H01L 41/09 ,  H01L 41/187 ,  H01L 41/22 ,  H01L 21/76
FI (7件)：
B29C41/40 ,  B81C1/00 ,  B41J3/04 103H ,  H01L41/08 J ,  H01L41/18 101D ,  H01L41/22 Z ,  H01L21/76 L
Fターム (35件)：
2C057AF93 ,  2C057AG15 ,  2C057AG33 ,  2C057AN01 ,  2C057AP02 ,  2C057AP22 ,  2C057AP23 ,  2C057AP25 ,  2C057AP27 ,  2C057AP32 ,  2C057AP33 ,  2C057AP34 ,  2C057AP35 ,  2C057AP52 ,  2C057AP53 ,  2C057AQ02 ,  2C057BA04 ,  2C057BA14 ,  4F202AF01 ,  4F202AH33 ,  4F202AJ05 ,  4F202CA01 ,  4F202CA30 ,  4F202CB01 ,  4F202CD24 ,  4F202CD25 ,  5F032AA35 ,  5F032AA36 ,  5F032AA77 ,  5F032AA78 ,  5F032CA14 ,  5F032DA23 ,  5F032DA24 ,  5F032DA33 ,  5F032DA34
引用特許：
出願人引用 (2件)

前のページに戻る

TOP

BOTTOM