特許
J-GLOBAL ID：200903085711142046
シリコン球状体の製造方法及びその製造装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
加古 宗男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-357873
公開番号（公開出願番号）：特開2005-162609
出願日： 2004年12月10日
公開日（公表日）： 2005年06月23日
要約：
【課題】 多結晶または単結晶からなる小径のシリコン球状体を効率的に製造する方法および装置を提供する。【解決手段】 シリコン原料を溶融ルツボにおいて、該シリコン原料の融点と同一温度又はそれよりもより高い温度で加熱して溶融し、この溶融したシリコンを溶融ルツボの底部に設られたノズル穴より降下管2内に吐出させる。そして、吐出させた溶融シリコンを、降下管2内に充填した雰囲気ガス中で降下させながら放熱により結晶成長させてシリコン球状体に凝固させる。この際、降下管2内に充填した雰囲気ガスの圧力を調整することで、降下管2内を降下する溶融シリコンの冷却速度を調整して結晶成長速度を制御する。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
降下管と、前記降下管の上端に取り付けられた溶解炉と、前記溶解炉内に設けられた溶融ルツボと、前記溶融ルツボを加熱する加熱部とを備えたシリコン球状体製造装置を使用し、
シリコン原料を前記溶融ルツボにおいて、該シリコン原料の融点と同一温度又はそれよりもより高い温度で加熱して溶融し、
前記溶融したシリコンを前記溶融ルツボの底部に設られたノズル穴より吐出させ、
前記吐出させた溶融シリコンを、前記降下管内に充填した雰囲気ガス中で降下させながら放熱により結晶成長させてシリコン球状体に凝固させてシリコン球状体を製造する方法であって、
前記降下管内に充填した雰囲気ガスの圧力を調整することで、前記降下管内を降下する前記溶融シリコンの冷却速度を調整して結晶成長速度を制御することを特徴とするシリコン球状体の製造方法。
IPC (3件)：
C30B29/06
, C01B33/02
, C30B30/08
C30B29/06 501Z
, C01B33/02 Z
, C30B30/08
4G072AA01
, 4G072BB07
, 4G072GG03
, 4G072HH01
, 4G072LL03
, 4G072MM38
, 4G072UU01
, 4G072UU02
, 4G077AA01
, 4G077AA02
, 4G077BA04
, 4G077CF10
, 4G077EA04
, 4G077EG15
, 4G077EG22
, 4G077EH06
, 4G077EJ06
, 4G077HA01
, 4G077MB14
, 4G077MB26
, 4G077MB32
出願人引用 (2件)
審査官引用 (2件)
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特開昭63-229716
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特開昭54-015662
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