特許
J-GLOBAL ID：200903085711967150
熱電変換素子、π型熱電変換素子対および熱電変換モジュールの各製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
松隈 秀盛
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-183146
公開番号（公開出願番号）：特開平10-074986
出願日： 1997年06月24日
公開日（公表日）： 1998年03月17日
要約：
【要約】【課題】 加熱電変換素子の製造において、金属電極-熱電半導体電極間、熱電半導体間の接合を確実、かつ安定におこない、高効率、長寿命、高信頼性、の低温、中温ないし高温用もしくはこれらにまたがる広い温度範囲で高効率の熱電変換素子を得る。【解決手段】 熱電半導体材料5と電極材料6とを圧接させた状態で、放電プラズマ焼結を行って熱電変換素子本体と電極とが一体化された熱電変換素子を得る。
請求項（抜粋）：
熱電半導体材料と、電極材料とを圧接させた状態で、プラズマ焼結を行って熱電変換素子本体と電極とが一体化された熱電変換素子を得ることを特徴とする熱電変換素子の製造方法。
IPC (5件)：
H01L 35/26
, H01L 35/08
, H01L 35/14
, H01L 35/32
, H01L 35/34
H01L 35/26
, H01L 35/08
, H01L 35/14
, H01L 35/32 A
, H01L 35/34
