特許
J-GLOBAL ID:200903085720582814

レーザー転写法を用いる低分子フルカラー有機電界発光素子用ドナーフィルム及びこのフィルムを用いる低分子フルカラー有機電界発光素子の製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (2件): 三好 秀和 ,  三好 保男
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2003-418171
公開番号(公開出願番号):特開2004-200170
出願日: 2003年12月16日
公開日(公表日): 2004年07月15日
要約:
【課題】低分子フルカラー有機電界発光素子用ドナーフィルム及び有機電界発光素子の製造方法を提供する。【解決手段】基材フィルムと、前記基材フィルム上の光-熱変換層及び前記光-熱変換層上の低分子物質からなる転写層からなり、レーザーに照射された前記転写層の一部は光-熱変換層との接着力の変化により離脱し、レーザーに照射されていない部分は接着力により光-熱変換層に固定されることと、前記転写層の低分子物質が転写される基板と前記低分子物質との接着力と前記光-熱変換層と前記低分子物質との接着力が、前記転写層においてレーザーに照射された領域の低分子物質とレーザーに照射されていない領域の低分子物質との間の粘着力より大きく、レーザーに照射された領域と照射されていない領域の低分子物質は互いに分離され、前記光-熱変換層から基板へと物質遷移が生じたことと、を特徴とする低分子フルカラー有機電界発光素子用ドナーフィルム。【選択図】図2
請求項(抜粋):
基材フィルムと、 前記基材フィルムの上部に形成される光-熱変換層と、 前記光-熱変換層の上部に形成され、低分子物質からなる転写層と、からなり、 前記転写層にレーザーによる熱が伝達されると、レーザーに照射された当該転写層の一部は前記光-熱変換層との接着力が変化することにより前記転写層が前記光-熱変換層から離脱し、レーザーに照射されていない部分は接着力により前記転写層が前記光-熱変換層に固定されることと、前記転写層を形成する低分子物質が転写される有機電界発光素子からなる基板が前記低分子物質との接着力、及び、前記光-熱変換層が前記低分子物質との接着力が、前記転写層においてレーザーに照射された領域の低分子物質とレーザーに照射されていない領域の低分子物質との間の粘着力より大きく、レーザーに照射された領域の低分子物質とレーザーを照射されていない領域の低分子物質とは互いに分離され、前記光-熱変換層から前記基板へと物質遷移が生じたことと、を特徴とする低分子フルカラー有機電界発光素子用ドナーフィルム。
IPC (4件):
H05B33/10 ,  C09K11/06 ,  H05B33/14 ,  H05B33/22
FI (7件):
H05B33/10 ,  C09K11/06 615 ,  C09K11/06 660 ,  C09K11/06 690 ,  H05B33/14 B ,  H05B33/22 B ,  H05B33/22 D
Fターム (3件):
3K007AB18 ,  3K007DB03 ,  3K007FA01
引用特許:
出願人引用 (10件)
  • 韓国特許番号第1998-51844号
  • 米国特許第5,688,551号
  • 米国特許第5,998,085号
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審査官引用 (7件)
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