特許

J-GLOBAL ID：200903085744081670

半導体ウエハの熱処理用サセプタ及びその製造方法

発明者： 伊藤 幸夫 ,  外谷 栄一
出願人/特許権者： 東芝セラミックス株式会社
代理人 (1件)： 木下 茂 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-150548
公開番号（公開出願番号）：特開平7-335572
出願日： 1994年06月08日
公開日（公表日）： 1995年12月22日
要約：

【要約】【目的】 半導体ウェハを化学気相成長させるサセプタの球面凹部の表面研磨法を改良し、サセプタの品質を改善してウェハの結晶成長を向上させてなる半導体ウェハのサセプタ及びその製造方法を提供することを目的とするものである。【構成】 シリコンなどの半導体ウェハ8を載置したサセプタ3を高周波加熱装置などの反応炉内で化学気相成長させる半導体ウェハのサセプタにおいて、前記サセプタ3の球面凹部12n を、ダイヤモンド粉集合体17を取付けた円盤状の回転円盤16を回転させ、ダイヤモンドパウダを研磨助材として鏡面に研磨し、前記サセプタの球面凹部を鏡面に研磨することにより、前記球面凹部の表面粗さをRa値で0.1〜3μmとしたものである。

請求項（抜粋）：

半導体ウエハを載置する球面凹部を少なくとも一つ有する半導体ウエハの熱処理用サセプタにおいて、前記サセプタの球面凹部の表面粗さがRaで0.1〜3μmであるを特徴とする半導体ウエハの熱処理用サセプタ。

IPC (4件)：

H01L 21/205 ,  C23C 16/44 ,  C23C 16/46 ,  H01L 21/365

引用特許：

審査官引用 (4件)

• サセプター
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-108493   出願人：東芝セラミックス株式会社
• 特開平2-068922
  
• 特開平2-139163
  
• 特開平3-146672