特許
J-GLOBAL ID：200903085755930327
マスクデータ作成方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (11件)：
前田 弘
, 竹内 宏
, 嶋田 高久
, 竹内 祐二
, 今江 克実
, 藤田 篤史
, 二宮 克也
, 原田 智雄
, 井関 勝守
, 関 啓
, 杉浦 靖也
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-027096
公開番号（公開出願番号）：特開2009-104195
出願日： 2009年02月09日
公開日（公表日）： 2009年05月14日
要約：
【課題】複雑なパターンを有するフォトマスクにマスクエンハンサー構造を適用する場合にも、プロセスマージンの向上効果が十分に得られるようにする。【解決手段】フォトマスクを介して露光光をレジストに照射することによって形成される所望の非感光領域と対応するパターンを作成する。前記パターンの内部に配置され且つ露光光を反対位相で透過させる位相シフターの形状を決定する。前記パターンと近接する他のパターンから前記パターンまでの距離に基づいて、位相シフターの幅を調整する。前記パターンのエッジをCD調整用エッジに設定する。位相シフターが配置された前記パターンにより形成されるレジストパターンの寸法を予測する。予測されたレジストパターンの寸法が所望の寸法と一致しない場合、CD調整用エッジを移動させることにより前記パターンの変形を行なう。【選択図】図17
請求項（抜粋）：
透過性基板上に形成されたマスクパターンと、前記透過性基板における前記マスクパターンが形成されていない透光部とを有するフォトマスクのマスクデータ作成方法であって、
前記フォトマスクを介して露光光をレジストに照射することによって形成される前記レジストの所望の非感光領域と対応するパターンを作成する工程と、
前記パターンの内部に配置され且つ前記透光部を基準として前記露光光を反対位相で透過させる位相シフターの形状を決定する工程と、
前記パターンと前記透光部を挟んで近接する他のパターンから前記パターンまでの距離に基づいて、前記位相シフターの幅を調整する工程と、
前記パターンにおける前記透光部との境界となるエッジをCD調整用エッジに設定する工程と、
シミュレーションを用いて、前記位相シフターが配置された前記パターンにより形成されるレジストパターンの寸法を予測する工程と、
前記予測されたレジストパターンの寸法が所望の寸法と一致しない場合、前記CD調整用エッジを移動させることにより前記パターンの変形を行なう工程とを備えていることを特徴とするマスクデータ作成方法。
IPC (2件)：
FI (3件)：
G03F1/08 A
, G03F1/08 D
, H01L21/30 502P
2H095BB02
, 2H095BB03
, 2H095BB36
