特許

J-GLOBAL ID：200903085761465830

光半導体素子および光半導体素子の製造方法

発明者： 中村 幸治
出願人/特許権者： 沖電気工業株式会社
代理人 (3件)： 亀谷 美明 ,  金本 哲男 ,  萩原 康司
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-107328
公開番号（公開出願番号）：特開2004-319554
出願日： 2003年04月11日
公開日（公表日）： 2004年11月11日
要約：

【課題】上部電極膜と下部電極膜との間の静電容量を小さく抑えることが可能な光半導体素子および光半導体素子の製造方法を提供する。【解決手段】半導体レーザ100において,パッド部18-1の下方にi型InP層11が配されている。このi型InP層11は,誘電率が小さく,パッド部18-1と第3電極膜19との間の静電容量の低減に寄与する。しかも,i型InP層11が介在することによって,パッド部18-1と第3電極膜19の間隔が拡がり,パッド部18-1と第3電極膜19との間の静電容量がより一層低減する。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

第1領域,第3領域,前記第1領域と前記第3領域に挟まれた第2領域をそれぞれ有する光半導体素子であって, 前記第1領域,前記第2領域,前記第3領域に延在する下部電極と, 前記第1領域に属する,前記下部電極上の活性層と, 前記第1領域に属する,前記活性層上の上部電極と, 前記第2領域に属する分離部と, 前記第3領域に属する,前記下部電極上の真性半導体層と, 前記第3領域に属し,前記上部電極と電気的に接続された,前記真性半導体層上の電極パッドと, を備えたことを特徴とする,光半導体素子。

IPC (1件)：

H01S5/042

FI (1件)：

H01S5/042 612

Fターム (14件)：

5F073AA07 ,  5F073AA22 ,  5F073AA42 ,  5F073AA61 ,  5F073AA74 ,  5F073AA89 ,  5F073BA01 ,  5F073CA13 ,  5F073CB02 ,  5F073CB11 ,  5F073CB22 ,  5F073DA23 ,  5F073EA14 ,  5F073FA27

引用特許：

審査官引用 (5件)

• 特開平1-114092
  
• 特開昭62-173785
  
• 光半導体集積素子及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-005954   出願人：富士通株式会社
• 特開昭62-272581
  
• 特開平2-105485