特許
J-GLOBAL ID：200903085766831550
プラズマ処理方法及び装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
青山 葆 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-062993
公開番号（公開出願番号）：特開平10-256238
出願日： 1997年03月17日
公開日（公表日）： 1998年09月25日
要約：
【要約】【課題】 誘電板を均熱性良く加熱でき、かつ、誘電板の中心部のスパッタリングを防止できるプラズマ処理方法及び装置を提供する。【解決手段】 発熱体10が、誘電板5の中心付近を含むほぼ全面にわたってほぼ均等に敷設され、かつ誘電板5の中心付近の発熱体10の中心部10aにヒーター電源12からの電流が流れないように構成されており、誘電板5が均一に加熱されるとともに、発熱体10aがファラデーシールドとして作用し、コイル6とプラズマとの静電的な結合を弱めるため、誘電板5の真空側が大きく負に帯電するのを防止するとができ、プラズマ中の正イオンが誘電板5に向かって高速で衝突することによる誘電板5のスパッタリングを防止することができる。
請求項（抜粋）：
真空室(1)内にガスを供給しつつ上記真空室内を排気し、上記真空室内を所定の圧力に制御しながら、誘電板(5)に沿って配置されたコイル(6)に高周波電力を供給することにより、上記真空室内にプラズマを発生させて上記真空室内の電極(7)に載置された基板(8)を処理するプラズマ処理方法において、中心部(10a,11)以外が発熱するヒーター(9)によって上記誘電板が加熱され、かつ上記中心部においてファラデーシールドにより上記コイルと上記プラズマとの静電的な結合が弱められた状態でプラズマを発生させた状態で、上記基板を処理することを特徴とするプラズマ処理方法。
IPC (7件)：
H01L 21/3065
, C23C 14/34
, C23C 16/50
, C23F 4/00
, H01L 21/203
, H01L 21/205
, H05H 1/46
H01L 21/302 B
, C23C 14/34 L
, C23C 16/50
, C23F 4/00 A
, H01L 21/203 S
, H01L 21/205
, H05H 1/46 M
