塗布膜形成装置

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：高山宏志
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-312802
公開番号（公開出願番号）：特開2000-138212
出願日： 1998年11月04日
公開日（公表日）： 2000年05月16日
要約：

【要約】【課題】処理部への薬液供給、および処理部からの排気、排液の際にプロセスに悪影響を及ぼさない塗布膜形成装置を提供すること。【解決手段】基板に塗布液を塗布して塗布膜を形成するための処理部1に対し、薬液供給系および排気・排液処理系を有する薬液部が隣接した状態で、かつサイドキャビネット2に収容された状態で処理部1から隔離して設けられている。薬液部であるサイドキャビネット2において、薬液供給系から処理部1のエージングユニット(DAS)21およびソルベントイクスチェンジユニット(DSE)11にそれぞれアンモニアおよびHMDSを供給し、処理後の排気および排液は排気・排液処理系で処理される。

請求項（抜粋）：

基板に塗布液を塗布して塗布膜を形成するための塗布膜形成装置であって、基板に塗布液を塗布する塗布処理ユニットおよび塗布処理ユニットにおいて形成された塗布膜に薬液処理を施す薬液処理ユニットを少なくとも有する処理部と、この処理部に隣接した位置に処理部とは隔離されて設けられ、前記薬液処理ユニットに薬液を供給するための薬液供給系、および薬液処理ユニットからの排液および排気を処理する排液・排気処理系を有する薬液部とを具備することを特徴とする塗布膜形成装置。

IPC (7件)：

H01L 21/316 , B05D 1/40 , B05D 3/10 , B05D 5/12 , G03F 7/16 502 , H01L 21/027 , H01L 21/768

FI (8件)：

H01L 21/316 C , H01L 21/316 U , B05D 1/40 A , B05D 3/10 H , B05D 5/12 D , G03F 7/16 502 , H01L 21/30 564 C , H01L 21/90 Q

Fターム (29件)：

2H025AB16 , 2H025EA05 , 4D075AC64 , 4D075AC84 , 4D075AC88 , 4D075CA23 , 4D075DA06 , 4D075DB31 , 4D075DC21 , 5F033QQ74 , 5F033QQ88 , 5F033RR04 , 5F033SS22 , 5F033XX00 , 5F046JA04 , 5F046JA22 , 5F058AC03 , 5F058AF04 , 5F058AG10 , 5F058AH02 , 5F058BC02 , 5F058BF25 , 5F058BF46 , 5F058BG01 , 5F058BG02 , 5F058BG03 , 5F058BG04 , 5F058BH20 , 5F058BJ02

引用特許：

審査官引用 (2件)

基板へのシリカ系被膜形成方法及び装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-174445 出願人：大日本スクリーン製造株式会社
半導体基板上に薄膜ナノ多孔質アエロゲルを形成するための低揮発性溶剤基の方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-342342 出願人：テキサスインスツルメンツインコーポレイテツド

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