特許

J-GLOBAL ID：200903085804262106

オーミック電極及びその形成方法並びに発光素子

発明者： 小沢 正文 ,  伊藤 哲 ,  成井 二三代
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 杉浦 正知
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-032741
公開番号（公開出願番号）：特開平6-188524
出願日： 1993年01月28日
公開日（公表日）： 1994年07月08日
要約：

【要約】【目的】 II-VI族化合物半導体に対する、密着性が良好で接触比抵抗が低いオーミック電極を実現する。【構成】 p型ZnTe層2上にPd膜3を最下層とする金属多層膜から成るオーミック電極を真空蒸着法などにより形成する。オーミック電極形成後に必要に応じて100〜300°Cの温度でアニールを行う。このようにして形成されるオーミック電極をII-VI族化合物半導体を用いる半導体レーザーや発光ダイオードのp側のオーミック電極として用いる。

請求項（抜粋）：

p型のII-VI族化合物半導体に対するオーミック電極において、上記p型のII-VI族化合物半導体に接した最下層の部分がPdまたはPd合金から成ることを特徴とするオーミック電極。

IPC (2件)：

H01S 3/18 ,  H01L 33/00

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 半導体レーザー
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-229356   出願人：ソニー株式会社
• 特開平4-063479