半導体装置とその製造方法および半導体装置パターン露光用マスク

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鈴江武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-247702
公開番号（公開出願番号）：特開2002-064043
出願日： 2000年08月17日
公開日（公表日）： 2002年02月28日
要約：

【要約】【課題】配線ピッチが異なる領域間の接続領域における光リソグラフィを用いた微細な配線パターンを形成する時の解像度や焦点深度の悪化を抑制し、配線パターンの断線やショートが発生する可能性を低減し、高集積化が可能となる半導体装置露光用マスクおよびそれを用いて製造された半導体装置を提供する。【解決手段】半導体基板上のピッチの異なる配線を接続する領域における配線パターンとして、ピッチが小さい領域のラインパターンの偶数番のものは、ピッチが大きい領域のラインパターンに接続するとともに長さ方向の途中でライン幅を段状に太くし、ピッチが小さい領域のラインパターンの奇数番のものは、その終端位置を分散させる。

請求項（抜粋）：

半導体基板と、前記半導体基板上の第1の領域で、それぞれライン幅Lを有する導電体からなる第1、第2、第3、第4のラインパターンがそれぞれライン間スペースSを存して順に並ぶように形成された第1のライン&スペースパターンと、前記半導体基板上の第2の領域で、それぞれライン幅L以上を有する導電体からなる第5、第6のラインパターンがライン間スペースS以上を存して順に並ぶように形成された第2のライン&スペースパターンと、前記半導体基板上の前記第1の領域と第2の領域との間に存在する第3の領域で、前記第1のラインパターンと前記第5のラインパターンに連なる導電体からなる第7のラインパターンおよび前記第3のラインパターンと前記第6のラインパターンに連なる導電体からなる第8のラインパターンが形成された第3のライン&スペースパターンとを具備し、前記第2のラインパターンは前記第1の領域と第3の領域との境界位置で終端されており、前記第4のラインパターンは前記第3の領域と第2の領域との境界位置まで延長されて終端されており、前記第7のラインパターンは、第3の領域内の長さ方向の途中でライン幅が変化し、前記第1のラインパターン側よりも前記第5のラインパターン側の方がライン幅が太くなるように形成されており、前記第8のラインパターンは、第3の領域内の長さ方向の途中でライン幅が変化し、前記第3のラインパターン側よりも前記第6のラインパターン側の方がライン幅が太くなるように形成されており、前記各ライン&スペースパターンはそれぞれ対応する領域で少なくとも2組以上周期的に繰り返すように配置されていることを特徴とする半導体装置。

IPC (10件)：

H01L 21/027 , G03F 1/08 , G03F 7/20 521 , H01L 21/82 , H01L 21/3205 , H01L 21/8247 , H01L 27/115 , H01L 27/10 471 , H01L 29/788 , H01L 29/792

FI (9件)：

G03F 1/08 A , G03F 7/20 521 , H01L 27/10 471 , H01L 21/30 516 A , H01L 21/30 502 P , H01L 21/82 W , H01L 21/88 B , H01L 27/10 434 , H01L 29/78 371

Fターム (46件)：

2H095BA01 , 2H095BB02 , 2H095BB03 , 5F001AA01 , 5F001AB02 , 5F001AD41 , 5F001AD53 , 5F001AE08 , 5F001AG09 , 5F001AG17 , 5F001AG40 , 5F033HH00 , 5F033MM21 , 5F033MM29 , 5F033QQ01 , 5F033UU03 , 5F033VV16 , 5F033XX03 , 5F033XX31 , 5F046AA25 , 5F046BA03 , 5F046BA08 , 5F046CA04 , 5F046CB05 , 5F046CB08 , 5F046CB17 , 5F046CB23 , 5F046DA13 , 5F046DA14 , 5F064BB12 , 5F064EE09 , 5F064EE14 , 5F064EE15 , 5F064GG10 , 5F083EP02 , 5F083EP22 , 5F083EP33 , 5F083EP34 , 5F083EP76 , 5F083ER22 , 5F083LA16 , 5F083PR01 , 5F083PR42 , 5F083PR43 , 5F083PR52 , 5F083PR53

引用特許：

審査官引用 (1件)

半導体装置及びパターン形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-188518 出願人：株式会社日立製作所

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