特許
J-GLOBAL ID:200903085816024944

シールド導電キーユニット及びその製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 鴇田 將
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平9-311472
公開番号(公開出願番号):特開平11-134961
出願日: 1997年10月27日
公開日(公表日): 1999年05月21日
要約:
【要約】【課題】 本発明の目的は、ギガ帯の装置及びデジタル回路を組み込んだキーユニットに対しても電磁波のシールド対策が必要となり、これらのシールド対策が可能となると同時に各キーに照射される光が外部に漏れるのを防止することができ、かつ容易に金属シール膜を作ることができ、しかもその金属シール膜は均一に膜を作ることができ、レーザー加工による文字等のパターン形成が容易であり、メタリック調のデザインを併用して実現できる等の生産性の高いシールド導電キーユニット及びその製造方法を提供することにある。【解決手段】 本発明に係るシールド導電キーユニットは、ゴム製キーユニットの表面近くの内部に、蒸着した金属皮膜原子の一部を浸透させてゴムと金属皮膜原子の混合領域層を形成し、該混合領域層の上に蒸着した金属皮膜原子による稠密な金属皮膜原子積層構造の金属皮膜層を形成したものである。
請求項(抜粋):
ゴム製キーユニットの表面近くの内部に、蒸着した金属皮膜原子の一部を浸透させてゴムと金属皮膜原子の混合領域層を形成し、該混合領域層の上に蒸着した金属皮膜原子による稠密な金属皮膜原子積層構造の金属皮膜層を形成したことを特徴とするシールド導電キーユニット。
IPC (4件):
H01H 13/02 ,  H01H 11/00 ,  H01H 13/14 ,  H05K 9/00
FI (4件):
H01H 13/02 D ,  H01H 11/00 E ,  H01H 13/14 Z ,  H05K 9/00 V
引用特許:
審査官引用 (5件)
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