特許
J-GLOBAL ID:200903044319449364
1B族金属膜被覆高分子基体及びその製造方法
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
谷川 昌夫
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平7-258579
公開番号(公開出願番号):特開平9-104967
出願日: 1995年10月05日
公開日(公表日): 1997年04月22日
要約:
【要約】【課題】高分子基体上に1B族金属膜が密着性良好に形成され、しかも経時的な膜密着性の低下が生じ難い1B族金属膜被覆高分子基体、及びその製造方法を提供する。【解決手段】高分子材料からなる被成膜基体S上に、8族金属(Fe、Co、Ni、Tc、Rh、Pd、Os、Ir、Pt)から選ばれた少なくとも一種の物質からなる中間膜S2が形成され、中間膜S2上に1B族金属(Cu、Ag、Au)から選ばれた少なくとも一種の物質からなる1B族金属膜S3が形成されているか、或いは、基体S上に、4A族金属(Ti、Zr、Hf)、Si、Crから選ばれた少なくとも一種の物質からなる内膜S2が形成され、内膜S2上に中間膜S2が形成され、中間膜S2上に1B族金属膜S3が形成されている1B族金属膜被覆高分子基体及びその製造方法。
請求項(抜粋):
高分子材料からなる被成膜基体上に、8族金属(鉄(Fe)、コバルト(Co)、ニッケル(Ni)、テクネチウム(Tc)、ロジウム(Rh)、パラジウム(Pd)、オスミウム(Os)、イリジウム(Ir)、白金(Pt))から選ばれた少なくとも一種の物質からなる中間膜が形成され、該中間膜上に1B族金属(銅(Cu)、銀(Ag)、金(Au))から選ばれた少なくとも一種の物質からなる1B族金属膜が形成されていることを特徴とする1B族金属膜被覆高分子基体。
IPC (5件):
C23C 14/06
, B32B 15/08
, C23C 14/14
, C23C 14/20
, C23C 14/48
FI (5件):
C23C 14/06 N
, B32B 15/08 P
, C23C 14/14 D
, C23C 14/20 A
, C23C 14/48 D
引用特許:
審査官引用 (20件)
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金属張りポリイミドフィルムの製造方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平6-000371
出願人:日立化成工業株式会社
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特開平2-149666
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銅被覆ポリイミド基板の製造方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平6-008535
出願人:住友金属鉱山株式会社
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フレキシブルプリント配線板
公報種別:公開公報
出願番号:特願平4-122493
出願人:東洋メタライジング株式会社
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特開昭55-034415
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特開昭54-129475
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特開昭52-136284
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特開昭47-043971
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特開昭59-151490
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特開昭62-255137
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特開平3-274261
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フレキシブルプリント配線用基板
公報種別:公開公報
出願番号:特願平7-152577
出願人:東洋メタライジング株式会社
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特開平2-149666
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特開昭55-034415
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特開昭54-129475
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特開昭52-136284
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特開昭47-043971
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特開昭59-151490
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特開昭62-255137
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特開平3-274261
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