特許

J-GLOBAL ID：200903085827700097

半導体装置用リードフレームとその製造方法

発明者： 真田 広志 ,  渡辺 栄二 ,  麻田 晃
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 小笠原 史朗
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-248331
公開番号（公開出願番号）：特開2008-071886
出願日： 2006年09月13日
公開日（公表日）： 2008年03月27日
要約：

【課題】本発明は半導体装置の小型化、高集積化に際し、樹脂とリードフレームの密着性が高く、耐環境性に優れた信頼性の高い半導体装置用リードフレームを提供する事を目的とする。【解決手段】本発明の半導体装置用リードフレームは、リード部のそれぞれを包囲する形態で樹脂外囲器が形成された金属原板の表面のみを選択的にディンプル形成が施されており、前記ディンプルの表面には複数の突起が形成されている。また本発明の方法では前記樹脂外囲器が形成される前記金属原板の表面のみを選択的にプレス加工しディンプルを形成する第1工程と、前記ディンプルの表面をエッチング加工もしくはめっき工法により複数の突起を形成する第2工程を含む事を特徴とする。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

半導体素子が載置されるパット部と、前記パット部に載置される前記半導体素子と導通接続されるリード部とからなるリードフレームであって、前記パット部と前記リード部とを囲繞する領域にディンプルが形成され、前記ディンプル表面に複数の微小突起を有し、前記リードフレームの少なくとも前記ディンプル形成領域に樹脂外囲器が形成されたことを特徴とする樹脂外囲器付きリードフレーム。

IPC (1件)：

H01L 23/50

FI (1件)：

H01L23/50 K

Fターム (8件)：

5F067AA04 ,  5F067BB04 ,  5F067BD01 ,  5F067BE02 ,  5F067DA11 ,  5F067DA16 ,  5F067EA01 ,  5F067EA04

引用特許：

出願人引用 (1件)

• リードフレームおよびリードフレームの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-293213   出願人：株式会社三井ハイテック