特許
J-GLOBAL ID：200903085849551397

電子部品内蔵モジュール

発明者：
川本 英司

川本 英司 について

, 
葉山 雅昭

葉山 雅昭 について

, 
勝又 雅昭

勝又 雅昭 について


出願人/特許権者：
松下電器産業株式会社

松下電器産業株式会社 について


代理人 (3件)： 岩橋 文雄 ,  坂口 智康 ,  内藤 浩樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-199254
公開番号（公開出願番号）：特開2005-039007
出願日： 2003年07月18日
公開日（公表日）： 2005年02月10日
要約：
【課題】従来のはんだを用いて電子部品を実装し、樹脂モールドの構造を取る電子部品内蔵モジュールにおいては、マザー基板とのリフロー接続時に、はんだが再溶融して電極間でショートが発生するという問題点を有していた。【解決手段】少なくとも1つ以上の電子部品4と、少なくとも一層以上の配線層を有する配線基板2と、前記電子部品4を前記配線基板2の電極3とはんだ5で接続しこれらを絶縁樹脂7で覆い、前記絶縁樹脂7の表面に金属めっき膜による電磁界シールド層15を形成した電子部品内蔵モジュール1において、前記電子部品4の電極6の間隔をSC、前記電子部品実装用の前記配線基板2の電極3の間隔をSSとするとき、SC≧SSの関係を満足する電子部品内蔵モジュール。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
少なくとも1つ以上の電子部品と、少なくとも一層以上の配線層を有する配線基板と、前記電子部品を前記配線基板の電極とはんだで接続しこれらを絶縁樹脂で覆い、前記絶縁樹脂の表面に金属めっき膜による電磁界シールド層を形成した電子部品内蔵モジュールにおいて、前記電子部品の電極間隔をSc、前記電子部品実装用の前記配線基板の電極間隔をSSとするとき、SC≧SSの関係を満足する電子部品内蔵モジュール。
IPC (1件)：
H01L23/12
FI (2件)：
H01L23/12 501Z ,  H01L23/12 501B
引用特許：
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (6件)
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