特許

J-GLOBAL ID：200903085852437287

化合物半導体の単結晶の製造方法

発明者： 只友 一行 ,  渡部 信一 ,  岡川 広明 ,  平松 和政
出願人/特許権者： 三菱電線工業株式会社
代理人 (1件)： 高島 一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-062813
公開番号（公開出願番号）：特開平7-267787
出願日： 1994年03月31日
公開日（公表日）： 1995年10月17日
要約：

【要約】【目的】 GaNだけでなく、これを含むIII-V族の窒素系化合物の、より高品質な単結晶の製造方法を提供すること。【構成】 基板上1にバッファ層2を介して結晶成長させる工程を経ることによる、BN、AlN、GaN、InNからInGaBN、InGaAlN、InGaAlBN等にいたるIII-V族の窒素系化合物の単結晶3の製造方法である。該バッファ層2を形成する物質として、II族元素の酸化物から選ばれる少なくとも1種よりなる化合物、特に(BeO)x (ZnO)y (HgO)1-x-y を用いることを特徴とする。また、これにMgO、CaO、SrO、CdO、BaO等を適宜加えたものも使用可能である。

請求項（抜粋）：

基板上にバッファ層を介して結晶成長させる工程を経ることによる III族典型元素から選ばれる少なくとも1種の元素と窒素とからなる化合物半導体の単結晶の製造方法であって、該バッファ層を形成する物質が、II族元素の酸化物から選ばれる少なくとも1種よりなる化合物であること(但し、該化合物半導体がGaNである場合には、該バッファ層はZnO以外の化合物である)を特徴とする化合物半導体の単結晶の製造方法。

IPC (7件)：

C30B 23/08 ,  C30B 19/00 ,  C30B 25/18 ,  C30B 29/38 ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/203 ,  H01L 21/208