特許
J-GLOBAL ID：200903085860023327
金属の表面状態評価方法及び半導体装置の製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
前田 弘 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-143987
公開番号（公開出願番号）：特開平9-304325
出願日： 1996年06月06日
公開日（公表日）： 1997年11月28日
要約：
【要約】【課題】 半導体ウエハー上に形成された金属の表面状態を、短時間で非破壊的且つ定量的に評価できるようにする。【解決手段】 半導体ウエハー13上に形成された金属を、該金属を腐食するイオンを含有する溶液に接触させてガルバノスタット11により定電流電解し、金属の電極電位を測定する。得られた電流値と孔食時間との関係及び臨界電流値に基づいて、金属の表面平滑性、表面の被膜強度、耐孔食性、金属に含有されている微量金属の偏析量や濃度及び金属のグレインサイズやグレインバンダリー長を評価する。
請求項（抜粋）：
金属を、該金属を腐食するイオンを含有する溶液に接触させる溶液接触工程と、前記溶液に電流値が異なる複数の定電流を印加して前記金属を前記溶液により腐食させる金属腐食工程と、前記溶液により腐食されている前記金属の電流値毎の電極電位を測定する電極電位測定工程と、電流値毎の前記電極電位に基づき電流値の変化に対する孔食時間の変化率を算出する変化率算出工程と、前記変化率に基づき前記金属の表面に形成されている酸化膜の溶解速度を測定する溶解速度測定工程とを備えていることを特徴とする金属の表面状態評価方法。
IPC (3件)：
G01N 27/26 351
, G01N 17/02
, H01L 21/66
G01N 27/26 351 B
, G01N 17/02
, H01L 21/66 S
, H01L 21/66 L
