特許
J-GLOBAL ID：200903085872297783
半導体装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-071914
公開番号（公開出願番号）：特開2000-267128
出願日： 1999年03月17日
公開日（公表日）： 2000年09月29日
要約：
【要約】【課題】 アクティブマトリクス型液晶表示装置において、保持容量の電極を透明導電膜で形成して、開口率を下げずに大容量のコンデンサーとする。かつ保持容量の電極と画素電極のショートを確実に防止する。【解決手段】画素TFT20を覆うBCBでなる平坦化膜上に、CVD法でI透明導電膜113を形成し、導電膜113にコンタクトホールを形成する。透明導電膜113上にCVD法で酸化シリコンでなる絶縁膜114を成膜し、絶縁膜114と平坦化膜112にドレイン電極108に達するコンタクトホールを形成し、画素電極115を形成する。透明導電膜113と画素電極115を電極に、絶縁膜114を誘電体とする保持容量22が形成される。CVD法で絶縁膜114を成膜したため、コンタクトホールにおいて、透明導電膜113と画素電極がショートすることを防止できる。
請求項（抜粋）：
薄膜トランジスタに接続された画素電極と、前記薄膜トランジスタを覆う樹脂膜と、前記樹脂膜上の透明導電膜、該透明導電膜に接する絶縁膜と、該絶縁膜に接する前記画素電極とを有する保持容量と、前記画素電極と前記薄膜トランジスタを接続するための前記透明導電膜に形成されたコンタクトホールと、を有し、前記絶縁膜は前記透明導電膜のコンタクトホールの側部を覆い、かつ前記樹脂膜に接していることを特徴とする半導体装置。
Fターム (42件)：
2H092JA26
, 2H092JA29
, 2H092JA38
, 2H092JA42
, 2H092JA44
, 2H092JB13
, 2H092JB23
, 2H092JB32
, 2H092JB33
, 2H092JB38
, 2H092JB51
, 2H092JB57
, 2H092JB58
, 2H092JB63
, 2H092JB69
, 2H092KA04
, 2H092KA07
, 2H092KA16
, 2H092KA18
, 2H092KB22
, 2H092KB24
, 2H092MA07
, 2H092MA08
, 2H092MA14
, 2H092MA15
, 2H092MA16
, 2H092MA18
, 2H092MA19
, 2H092MA20
, 2H092MA23
, 2H092MA29
, 2H092MA30
, 2H092MA33
, 2H092MA35
, 2H092MA37
, 2H092MA41
, 2H092NA16
, 2H092NA22
, 2H092NA25
, 2H092NA27
, 2H092PA06
, 2H092QA07
