特許

J-GLOBAL ID：200903085879658250

金属カルボニル前駆体からの金属層の成膜速度を上げる方法

発明者： 鈴木 健二 ,  ギドッティ,エマニュエル,ピー ,  リューシンク,ヘリット,イェー ,  マクフェリー,フェントン,アール ,  マルホトラ,サンドラ,ジー
出願人/特許権者： 東京エレクトロン株式会社 ,  インターナショナル ビジネス マシーンズ コーポレイション
代理人 (1件)： 伊東 忠彦
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-543038
公開番号（公開出願番号）：特表2008-520835
出願日： 2005年10月03日
公開日（公表日）： 2008年06月19日
要約：

金属カルボニル前駆体(52、152)の気相原料を一酸化炭素ガスと混合することにより、金属カルボニル前駆体(52、152)からの金属層の堆積速度を増大する方法(300)が開示される。この方法(300)は、堆積システム(1、100)のプロセスチャンバ(10、110)に基板(25、125)を提供する工程と、金属カルボニル前駆体の気相原料を含むプロセスガスを生成する工程と、熱化学気相堆積プロセスによって基板(25、125、400、402)に金属層(440、460)を堆積するために基板(25、125、400、402)をプロセスガスに晒す工程とを含む。

請求項（抜粋）：

基板に金属層を堆積する方法であって: 堆積システムのプロセスチャンバに基板を提供する工程; 金属カルボニル前駆体の気相原料と一酸化炭素ガスとを含むプロセスガスを生成する工程;および 熱化学気相堆積プロセスによって前記基板に金属層を堆積するため、前記基板を前記プロセスガスに晒す工程; を有する方法。

IPC (5件)：

C23C 16/16 ,  H01L 21/285 ,  H01L 21/320 ,  H01L 23/52 ,  H01L 21/28

FI (4件)：

C23C16/16 ,  H01L21/285 C ,  H01L21/88 R ,  H01L21/28 301R

Fターム (54件)：

4K030AA12 ,  4K030AA14 ,  4K030BA05 ,  4K030BA06 ,  4K030BA12 ,  4K030BA20 ,  4K030CA04 ,  4K030FA10 ,  4K030JA05 ,  4K030JA09 ,  4K030JA10 ,  4K030LA15 ,  4M104BB04 ,  4M104BB13 ,  4M104BB16 ,  4M104BB17 ,  4M104BB18 ,  4M104BB32 ,  4M104BB33 ,  4M104BB36 ,  4M104DD43 ,  4M104DD44 ,  4M104DD45 ,  4M104FF17 ,  4M104FF18 ,  4M104FF22 ,  5F033HH07 ,  5F033HH11 ,  5F033HH15 ,  5F033HH17 ,  5F033HH19 ,  5F033HH20 ,  5F033HH21 ,  5F033HH31 ,  5F033HH32 ,  5F033HH34 ,  5F033JJ07 ,  5F033JJ11 ,  5F033JJ15 ,  5F033JJ17 ,  5F033JJ19 ,  5F033JJ21 ,  5F033JJ31 ,  5F033JJ32 ,  5F033JJ34 ,  5F033MM01 ,  5F033MM12 ,  5F033MM13 ,  5F033NN06 ,  5F033NN07 ,  5F033PP02 ,  5F033PP06 ,  5F033WW03 ,  5F033WW06

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 成膜方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-322924   出願人：東京エレクトロン株式会社
• 成膜方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-367073   出願人：東京エレクトロン株式会社